sram

华邦电子（WINBOND）创立于1987年9月，1995年于台湾证券交易所挂牌上市。今日的华邦以专业的内存集成电路公司为定位，主要业务包含产品设计、技术研发、晶圆制造、营销及售后服务，致力以先进的半导体设计及生产技术，提供客户特殊规格的内存解决方案。华邦以“DRAM产品事业群”、“闪存IC事业群”及“记忆IC制造事业群”三大事业群为核心，不断追求产品与技术的创新，以落实竞争优势

深度神经网络(DNN)是模仿大脑神经网络的算法，与传统模式识别和机器学习相比，DNN的识别处理精度要高得多，预计将会广泛的应用在车用领域。 东芝(Toshiba)宣布成功开发出新款汽车应用影像识别系统级芯片(SoC)，与东芝上一代产品相比，该产品使深度学习加速器的速度提升10倍，功率效率提高4倍。该技术成果的详情已于2月19日在旧金山举行的2019 IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上发表

今年，8英寸晶圆厂接到了大量物联网、车用电子的订单，导致8英寸晶圆代工产能明显供不应求。台积电以外的二线晶圆代工同样遇到上游晶圆成本上涨、产能供不应求的情况，因此纷纷向台积 在目前全球的芯片制造产业中，除了格罗方德、台积电、三星、英特尔这几大巨头拥有先进的生产技术，以其强大的生产能量可以生产先进逻辑运算芯片之外，爱美科（IMEC）则是在晶圆制造领 据统计，因为2018年上半年高端智能手机需求低于预期，以及厂商推出的高端及中端智能手机分界越来越模糊，智能手机厂商推出的新功能没有如预期般刺激消费者换机需求，因此间接压抑智能 1、SRAM：静态随机存取存储器采取多重晶体管设计，通常每个存储单元使用4-6只晶体管，但没有电容器。SRAM主要用于缓存

GD32VF103系列MCU是基于RISC-V内核的32位通用微控制器，具备均衡的处理效能和系统资源，适用于工业控制、消费电子、新兴IoT等嵌入式市场应用。 内存：内置16KB~128KB Flash、6KB~32KB SRAM 工作电压：2.6~3.6V [GD32VF103标准固件库] （包括程序、数据结构和宏定义，覆盖所有集成外设的特征，并包括了全部相关驱动和示例程序。） Bumblebee 内核，是由芯来科技（Nuclei System Technology）联合兆易创新（Gigadevice）针对其面向 IoT 或其他超低功耗场景的通用 MCU产品定制的一款商用 RISC-V 处理器内核

随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来，一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流 外置SRAM通常配有一个并行接口。考虑到大多数基于SRAM的应用的存储器要求，选择并行接口并不令人惊讶

STC公司介绍：STC是一家怎样的公司？ STC宏晶科技是新一代增强型8位单片微型计算机标准的制定者和领导厂商。致力于提供满足中国市场需求的高性能单片机技术，在业内处于领先地位，STC销售网络覆盖全国。 超强抗干扰工业规格的单片微型计算机现推广的产品有：STC增强型8051系列FLASH单片机低成本、MCU型DSP微处理器、复位电源监控电路高性能SRAM SDRAM FLASH RS-232 RS-485接口电路、LDO MCU USB型MCU

公司成立于2001年，是拥有中科院背景的集成电路产业化公司。2017年公司实现融资3500万，目前公司已经成为资产过亿，年营业收入近亿元的国家高新技术企业。 依托雄厚的科技与人才优势，公司成立十余年来在集成电路产品方面积累了丰富的经验，不仅在高可靠加固器件与电路设计方面掌握了自主知识产权，并且跟随市场需求构建出成熟的器件设计、工艺、封装、测试与试验平台，使公司逐渐发展成为具备产品设计、生产、销售和服务等完整产业链的集成电路产品供应商

STC公司介绍：STC是一家怎样的公司？ STC宏晶科技是新一代增强型8位单片微型计算机标准的制定者和领导厂商。致力于提供满足中国市场需求的高性能单片机技术，在业内处于领先地位，STC销售网络覆盖全国。 超强抗干扰工业规格的单片微型计算机现推广的产品有：STC增强型8051系列FLASH单片机低成本、MCU型DSP微处理器、复位电源监控电路高性能SRAM SDRAM FLASH RS-232 RS-485接口电路、LDO MCU USB型MCU

意法半导体(ST)发布用于制造8位和32位微控制器的全新超低功耗技术平台的细节。新的技术平台将有助于新一代电子产品降低功耗，满足不断升级的能效标准的要求，延长电池驱动设备的工作时间。满足这些日益提高的标准需要全方位考虑微控制器的设计和制程技术，进行全面的最大限度的改进

高速Cache存储器是开发高速计算机的一个关键部件。国际上大力开展各种中等容量超高速SRAM的研究开发工作，其中GaAs SRAM倍受重视，正是因为GaAs器件具有超高速性能。 用GaAs MESFET E/D电路可以方便地组成SRAM的单元及外围电路