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微电子所刘明院士科研团队在会上展示了高性能选通管的最新研究进展。 交叉阵列中的漏电流问题是电阻型存储器（如RRAM、MRAM、PCM）高密度集成的主要障碍，研制具有高疲劳特性、高均一性的通用选通管对于实现上述存储器的高密度三维交叉阵列集成具有重要意义。刘明院士团队设计了一种基于NbOx的高性能选通器件，通过对氧元素分布的调节与隧穿层的引入，实现了高开态电流密度（4.8MA/cm2）、高操作速度（10ns）、高疲劳特性(>1012)