mos

1、采用符合标准规定的光学结构0°/d结构。 2、光源双光束原理设计，保证测量结果的可靠性、稳定性。 3、采用分光原理，在400-700nm范围内，每间隔10nm对反射光或透射光进行分光分析，得到*颜色值

深圳市芯电元科技有限公司（芯电元科技香港有限公司）是一家专业从事功率半导体器件开发和销售的无晶圆厂设计公司(Fabless Design House)。公司的核心业务为功率管理产品的设计、开发和销售，包括功率Trench MOS，VDMOS，IGBT、肖特基二极管和功率集成电路等，其产品主要应用于功率管理领域。当前芯电元（semi-one）的目标市场为消费电子、信息技术、工业电子、汽车电子和家用电器等

对于一个电子产品，总功耗为该产品正常工作时的电压与电流的乘积，这就是低功耗设计的需要注意事项之一。 为了降低产品的功耗，在电子产品开发时尽量采用低开启电压MOS管的产品。比如一个产品，曾经用5v单片机正常工作，后来又了3.3v的单片机或者工作电压更低的，那么就是在第一层次中进行了低功耗设计，这也就是我们常说的研发前期低功耗器件选择

深圳市韩景元电子有限公司专业从事于功率半导体开关元件及防护器件的研发与生产，公司原位于韩国，随着中国区域迅速的发展和需求，2004年在山东省威海市全资兴建了现代化的生产基地，工厂现占地面积2万平方米，建筑面积3万平方米，现有职工305人，大、中专学历以上职工占比50%以上，其中工程技术、品质管理60多人。目前产品主要销往韩国、台湾、新加坡及东南亚等地区，经过多年的努力，公司产品已被国外市场认可，并为国外多家知名股份公司OEM全系列产品。 目前生产产品有1-100A单，双向可控硅，防护器件瞬态电压抑制二极管（TVS）、肖特基二极管（Schottky)、低压MOS管（MOSFET）及高压触发二极管（SIDAC）等

触摸开关，顾名思义就是指通过触摸操作的智能开关。在智能家居众多产品中，触摸开关不仅操作方便，能实现智能化，有着传统开关不可比拟的优势，而且价格也相较其他智能家居产品便宜，因此很受大家喜爱。目前，智能开关已经成为智能家居中非常流行的一种装饰性开关了

国星第三代半导体项目组成立于2019年，致力于高可靠性功率器件的封装设计与生产制造。作为国星光电前瞻布局的重要方向之一，产品系列覆盖碳化硅分立器件（SBD、MOS）、碳化硅功率模块、氮化镓分立器件等，包括DFN 5*6、DFN8*8；TO-220、TO-247 2L/3L/4L、TO 252等封装形式。项目组配备有先进的生产制造设备、对标ACE-Q101的主要可靠性验证设备

飞虹电子亮相CITE2019，在半导体器件带给我们什么样的惊喜？ 第93届中国电子展（CITE2019)于4月9号在深圳举行，作为国内电子行业顶级展览会之一，中国电子展一直立足于中国，同时吸引着全球知名厂商慕名参展，能够给业界人士带来最新的行业发展趋势广州飞虹微电子作为知名的半导体企业，将会在此次9B905展位上展现自己在半导体领域最新的产品。 这份小型Mos管选型手册，马上收藏起来！ 在一些电路的设计中，不光是开关电源电路中，经常会使用MOS管，正确选择MOS管是硬件工程师经常遇到的问题，更是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本。

贴片三极管和MOS管一般都为三只引脚的黑色电子产品，极少数为四只引脚（贴片三极管中有两个相通的引脚，发射极E或源极S），当然也要部分双三极管封装和双MOS管封装。 上面左图贴片三极管SOT23，右图MOS管SOT23； 正因为如此，贴片三极管（晶体三极管）的外形和作用也极其相似，在外观上基本上难以区分别，只能借助于原理图和印刷制版图判断区分，那么如何区分贴片三极管和MOS管呢？ 从《贴片三极管产品介绍》中，我们可以了解到，贴片三极管有NPN、PNP两种类型，从《细说MOS管》中，我们知道MOS管（场效应管）有NMOS管、PMOS管两种类型，其栅极G、源极S、漏极D分别对应于三极管的基极B、发射极E、集电极C。 贴片三极管和MOS管相比，MOS管（场效应管）具有很高的输入电阻，工作时栅极几乎不取信号电流，因此使用MOS管时需要注意MOS管的输入阻抗高，这样很小的输入电流都会产生很高的电压，使管子击穿

11月30日下午，赣州经开区成功举行名冠微电子（赣州）有限公司功率芯片项目签约仪式，与名芯有限公司（香港）、电子科技大学广东电子信息工程研究院正式签订功率芯片项目投资合同。 市委常委、赣州经开区党工委书记李明生出席签约仪式并致辞，市政协副主席、市科技局局长蓝赟，电子科技大学广东电子信息工程研究院院长陈雷霆、教授高巍，名芯有限公司（香港）董事、副总经理刘明华等公司高管，赣州经开区党工委副书记、管委会主任陈水连，市商务局局长钟定岩，区党工委副书记、管委会副主任宋鹏等参加，赣州经开区党工委副书记、管委会副主任傅小新主持签约仪式。 李明生在致辞中代表市委、市政府，经开区党工委、管委会对项目的顺利签约表示热烈祝贺

公开了一种用于从氧化物基器件中获得改进的氧化物层并由此提高的性能的方法。该方法包括将碳化硅层以低于碳化硅开始显著氧化速率的温度的氧化层暴露在氧化源气体中，同时高到足以使氧化源气体扩散到氧化层中，同时避免碳化硅的任何大量额外氧化，并且足够使氧化层敏感并改善氧化层和碳化硅层之间的界面。 碳化硅（SIC)具有电气和物理特性的结合，使其对高温、高压、高频率和高功率电子器件的半导体材料具有吸引力