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公开了一种用于从氧化物基器件中获得改进的氧化物层并由此提高的性能的方法。该方法包括将碳化硅层以低于碳化硅开始显著氧化速率的温度的氧化层暴露在氧化源气体中，同时高到足以使氧化源气体扩散到氧化层中，同时避免碳化硅的任何大量额外氧化，并且足够使氧化层敏感并改善氧化层和碳化硅层之间的界面。 碳化硅（SIC)具有电气和物理特性的结合，使其对高温、高压、高频率和高功率电子器件的半导体材料具有吸引力

尾矿库施工过程中只要设计合理，施工精心更能保证土工膜的防渗效果，提高尾矿库环保性能的可靠性。 渣场分为第Ⅱ类一般工业固体废物填埋库和危险废物填埋库两部分。二者的防渗衬层结构如下（自上而下）