104um

开发湿式晶种层技术取代传统干式溅镀或PVD制程，能于深宽比10之孔洞内形成均匀之晶种层沉积。铜电镀技术，能于直径10um、深度104um，深宽比大于10之孔洞内完成铜填孔沉积，而无任何孔隙或包孔。 1.高深宽比湿式无电镀铜晶种层沉积技术可在直径10 um，深105 um，深宽比10：1之硅穿孔孔洞中完成厚度为216 nm~ 326 nm的晶种层沉积