开发湿式晶种层技术取代传统干式溅镀或pvd制程

开发湿式晶种层技术取代传统干式溅镀或PVD制程，能于深宽比10之孔洞内形成均匀之晶种层沉积。铜电镀技术，能于直径10um、深度104um，深宽比大于10之孔洞内完成铜填孔沉积，而无任何孔隙或包孔。

1.高深宽比湿式无电镀铜晶种层沉积技术可在直径10 um，深105 um，深宽比10：1之硅穿孔孔洞中完成厚度为216 nm~ 326 nm的晶种层沉积。 2.开发高深宽比填孔铜电镀液，能于直径10um、深度104um，深宽比大于10之孔洞内完成铜填孔沉积，而无任何孔隙或包孔。

结合湿式晶种层与铜电镀填孔技术，能降低3D TSV填孔制程成本之50%，并可进一步应用至LED陶瓷基板与多层PCB板上。