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简要描述：脉冲激光外延制备系统凭借着优异的性能 PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内外拥有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章，用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长。 凭借着优异的性能 PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内外拥有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。 PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积

近日，毅达资本领投苏州赛迈测控技术有限公司（以下简称为赛迈测控）数千万元Pre-A轮融资。本次企业募集资金将用于核心测试测量模块、射频测试系统等产品的研发及应用。 赛迈测控是一家致力于可重构测试测量模块、专用测试装备及相关产品研发、生产和销售一体化的高科技公司，当前公司的主要产品是基于PXI的模块化测试测量仪器和半导体专用测试系统

第7届亚太解剖学国际会议（7th APICA， 2016）（The 7th Asia Pacific International Congress of Anatomists）于2016年3月17日至3月20日在新加坡召开。中国解剖学会组织了中国解剖学代表团（来自我国7所医学院校的12名解剖和组织与胚胎学专家学者），由中国解剖学会副理事长丁文龙教授带领参加了这次亚太解剖学科学工作者的教学和科研交流会。 7th APICA参会的330名代表来自33个国家

陕西开尔文测控技术有限公司成立于2012年，位于西安市高新区新型工业园发展大道26号，注册资金1000万，是国内自主研发高端大功率新型半导体器件测试系统及测试技术服务的高新企业单位，致力于新型器件（SiC GaN，石墨烯等）材料分析、元器件检测、可靠性评测、系统功能验证等服务。目前，测试系统及测试技术服务以深入国内大专院校、航天、航空、兵器、中船、电子行业等，尤其是电力设备、电动汽车、轨道交通领域的动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造等行业，得到了广泛的应用，以产品性价比高、可测器件种类多且参数齐全、测试精度高、速度快、保护性强、故障率低、软件丰富、操作使用方便、售后服务及时周到。同时还承担着同类进口产品的售后维修服务

每一颗博瑞出厂的芯片，都经过高低温贮存、老炼、快速温度变化、强加速湿热、寿命试验、键合强度试验等40余项测试检验。 RF放大器基于完全自主可控的创新技术进行设计，包括增益模块、低噪声放大器、可变增益放大器、驱动器放大器和功率放大器等产品。这些器件提供高线性、低噪声系数和多种增益选项，在额定工作范围内具有优异稳定的性能，可在多种应用场景中使用

博盛半导体股份有限公司成立于2012年4月，由当时一群超过20年经验的科技人为人类科技生活的挑战，为创造人类美好生活的志向，携手一致努力发展高效能功率元件之IC设计公司。消费性中低压MOSFET、工业用高压高功率IGBT、Super Junction以及先进GaN/SiC原料制程产品等都在博盛半导体生产、研发的产品范围内。本公司的产品线研发，广泛适用于消费、通讯、工业及汽车应用之领域

你的浏览器版本过低，可能导致网站不能正常访问！ 为了你能正常使用网站功能，请使用这些浏览器。 在竞争激烈的当今市场中，可再生能源、储能、电源适配器、电源充电器和数据处理应用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解决方案来提高性能，以满足不断增长的电信、汽车、医疗保健和航空航天行业的需求。 氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）晶体管等化合物半导体器件限制了高频条件下的开关损耗，加速了电路越来越小的趋势

高纯氨是指纯度达到99.9995%的氨气，高纯氨主要应用于新型光电子材料领域，是MOCVD技术制备GAN的重要基础材料。由GAN生产高灵敏度蓝光发光二级管和蓝光激光器，以及其它相关电子器件，是国内外都在抢占的产业。 液氨用于电厂等工厂氨制冷系统的制冷剂（R717） 高纯氨气是强腐蚀性有毒物质，对皮肤和眼睛有强烈腐蚀作用，产生严重疼痛性灼伤

面向高压和低压应用的先进电源技术，配合多种封装选项和创新型芯片键合技术，说明了意法半导体在功率晶体管领域（属于STPOWER™系列）的创新。意法半导体的广泛产品组合包括-100V~1700 V功率MOSFET、击穿电压范围为300~1700 V的IGBT、以及15~1700 V功率双极晶体管。由于改进了功率电子系统的热设计，意法半导体的碳化硅（SiC）MOSFET具有业界最高的200 °C额定结温，电压范围从650至1700 V，确保良好的稳定性

研究了离子注入前后GaN的拉曼散射光谱特别是其中几个在各种离子注入后都存在的拉曼散射峰如298362和661cm-1峰的性质峰值强度随注入元素原子量、注入剂量和退火温度的变化关系.上述三个拉曼散射峰的强度都随注入元素原子量的增加而降低.当注入剂量增大时362和661cm-1峰值强度减少而298cm-1峰值强度却增大.随退火温度的升高这三个拉曼散射峰的强度先增加后降低.对所观察到的实验现象和这三个峰的起源进行了分析和讨论. (1)北京大学分子动态与稳态结构国家重点实验室化学与分子工程学院物理化学研究所北京100871; (2)北京大学物理学院北京100871 1. (1)北京大学分子动态与稳态结构国家重点实验室化学与分子工程学院物理化学研究所北京100871; (2)北京大学物理学院北京100871 摘要: 研究了离子注入前后GaN的拉曼散射光谱特别是其中几个在各种离子注入后都存在的拉曼散射峰如298362和661cm-1峰的性质峰值强度随注入元素原子量、注入剂量和退火温度的变化关系.上述三个拉曼散射峰的强度都随注入元素原子量的增加而降低.当注入剂量增大时362和661cm-1峰值强度减少而298cm-1峰值强度却增大.随退火温度的升高这三个拉曼散射峰的强度先增加后降低.对所观察到的实验现象和这三个峰的起源进行了分析和讨论.