纳维

三十年的传承与积淀，两年一次的相聚与畅谈，是重逢，更是见证！2018年8月22日，第十五届全国MOCVD学术会议在红色革命根据地井冈山盛大开幕。本届会议由中国有色金属学会主办、南昌大学等单位承办，该会议是MOCVD技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台，规模和影响力越来越大，每两年召开一次，苏州纳维作为赞助商之一，已经是连续第四次参加并展出。 本次会议围绕“MOCVD与智能光电”这一主题，吸引了国内外MOCVD领域500+专家学者代表参会

本文摘要：2017年世界田径锦标赛男子撑杆跳决赛，中国运动员薛长锐以5米82建构新的全国纪录名列第四，建构中国男子撑杆跳在世界大赛上的最好成绩。美国运动员肯德里克斯以5米95取得冠军，个人首次取得世界大赛冠军，波兰运动员里斯克以5米89取得亚军，法国名将纳维莱涅以5米89取得季军。 薛长锐是去年里大约奥运的第六，这场世锦赛决赛他的状态十分出众，自5米50、5米65到5米75这三个高度，皆一次过杆已完成的非常精彩

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延边大学理学院数学系朴光日副教授和金广辉博士于2019年12月14日-18日期间到韩国亚洲大学进行学术交流，并于2019年12月16日做了学术报告。 朴光日副教授报告题目为“Numerical Computation of reduced-order Modeling for the Navier-Stokes equations”。主要介绍了纳维-斯托克斯方程在航天、航空航海、管道中的水流、血液循环等流体研究领域中的广泛应用；金广辉博士的报告题目为“Remarks on Chern-Simons gauged sigma model in one space dimension”主要介绍了非线性双曲方程的初值问题，利用能量估计得到的能量解的整体存在性

苏州纳维董事长、苏州纳米所研究员徐科博士荣获2013年度国家杰出青年科学基金项目资助，这是苏州纳米所培育出的首位国家杰出青年科学基金获得者。 国家杰出青年科学基金于1994年3月14日由国务院批准设立，由国家自然科学基金委员会负责管理，旨在支持45岁以下的优秀青年学者在中国内地从事自然科学基础研究工作，旨在促进青年科学技术人才成长，鼓励海外学者回国工作，培养造就一批进入世界科技前沿的优秀学术带头人。 徐科博士长期以来一直围绕氮化镓材料和器件开展工作，在氮化物材料的MOCVD生长、MBE生长、HVPE生长方面均有系统深入的研究，特别是在非极性面GaN生长、晶体极性对氮化物生长的影响、GaN单晶衬底材料的HVPE生长方面取得创新成果

4月9日下午13:30，苏州纳维董事长徐科博士应邀做客苏州图书馆“苏州大讲坛”之“科学大讲堂”，这是由中科院苏州纳米所和中国电子学会电子材料学分会联合举办的科普活动，为苏州市民朋友们带来主题为“第三代半导体技术发展现状与趋势及苏州的机遇与挑战”的讲座。 徐科博士讲述了第三代半导体材料的发展历程、国内外发展现状、对信息、能源领域的影响。讲解了苏州市在第三代半导体领域的先发优势与发展机遇，展望了第三代半导体未来发展趋势

高铭科维科技无锡有限公司是全球领先的物联网数字标识技术方案提供商，公司基于自主研发的“新一代物联网标识技术-纳维码”，为工业4.0、流通溯源、票证防伪等多个领域提**品及解决方案服务，得到了用户的广泛认可。 高铭科维作为物联网数字标识领域的技术创新者，在纳米材料、光学识别、图像处理、机器学习等多项技术上拥有国际领先的成果。 公司将总部设立在无锡，作为纳维码应用技术研发与产业化中心，负责机器的研发、生产以及中国区的销售，在澳大利亚-悉尼设立技术研发中心，负责纳米材料等核心技术的研发；在新加坡设立海外营销中心，负责国外市场的推广和销售

本报讯 3月1日，武进区湖塘桥第二实验小学开启红色影片校内影视教育课程。 学校特邀北京潘纳维然电影教研组，给孩子们带来导演画面创作、电影表演艺术、电影摄影运动技巧、电影打板与记录、电影灯光应用、电影发展史、电影录音操作、电影剧本创作等8门课程。 当天的课上，老师给孩子们讲述了如何成为一名优秀的演员，在“声、台、行、表”上要做些什么、如何去做

这是一部真正关于犹太人的历史，而不是犹太教或犹太信仰的历史，由以色列前驻法国大使埃利‧巴尔纳维主编、多位世界著名的犹太史学者集体撰写。它将改变人们对于犹太历史的刻板印象，即认为犹太历史仅仅是充满了集体屠杀等深重苦难的故事，而展示给读者犹太人在历史、宗教、艺术、经济等方面创造的辉煌和为人类文明作出的贡献。 本书对于整个犹太历史的把握，除了内容丰富、涉及范围极广之外，时间和空间上也处理得条理有致、层次分明

苏州纳维科技有限公司创立于2007年，以中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托，立足于设备的自主研发，专注于从事高质量、大尺寸氮化物材料的生长与产品开发，为产业界和研发机构提供各类氮化镓材料，目前公司拥有核心技术专利三十余项，是中国首家氮化镓衬底芯片供应商。 目前公司针对企业、高校和研究所的不同用户，主要提供如下产品：一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光；四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面；五、高结晶度氮化镓粉体材料；六、氮化铝衬底。 苏州纳维将立足于材料生长技术和设备的持续创新，努力在新一代显示、节能照明、微波通讯、电力电子、医学成像等产业领域为下游客户带来核心价值