器件

天津盛远达科技有限公司专业生产半导体和电子元器件用封装材料，主要产品有环氧塑封料、环氧粉末包封料两大系列，目前共有30多种产品，用于分立器件、钽电容、IC、红外接收头、压敏电阻、陶瓷电容等半导体元件的封装保护。 公司已通过ISO9001：2008质量管理体系认证并已通过高新技术企业认证，承担了多项重大项目的研发和产业化。产品通过美国UL94 V-0级安全认证，并满足欧盟RoHS及Reach法规

长春理工大学太阳集团7237网站紧跟时代热点，结合战略性专业新能源材料与器件成功地申报了新能源材料与器件吉林省高等学校重点实验室，于2017年获吉林省教育厅批准建立。实验室围绕燃料电池、太阳能电池、锂离子电池、热电材料、电催化、电化学储氢等方向展开研究，为研究与开发新一代高性能绿色能源材料与器件提供平台支撑。 实验室重点开展了石墨烯基电池的研究、轭多羰基聚合物应用于钠离子电池、解熔盐渗锂技术制备的Ti55V10Ni35准晶材料等研究工作

简要描述：CHT系列高精度全自动影像测量仪具有测量手段多、灵活性强、非接触等特点，满足客户多样的需求，针对特殊需求，还可定制开发。被广泛的应用在各种精密电子、晶圆科技、塑胶、精密零件、接插件、模具、军工、PCB板、粉末冶金、钟表零件、医药工业、光纤器件、汽车工程、航天航空、高等院校、科研院所等领域。 CHT系列高精度全自动影像测量仪三轴全自动可编程检测，实现复杂特征批量检测

地址：北京市海淀区远大路20号姜杰钢琴城文化艺术大厦E座11C2-2 北京显易科技有限公司成立于2005年，地处北京硅谷高新技术科技园区核心地带，是一家以经营电子元器件及工控主板设计开发为主导的综合性高科技企业。 公司自成立以来，一直秉承着专业、创新、诚信、务实的经营理念。从客户实际需求出发，以提高产品质量和服务质量为目标，为客户提供完善的技术解决方案

近日，四川省科学技术厅发布2020年电子信息综合领域四川省重点实验室评估结果，电子科技大学有4个重点实验室参加五年周期评估（2015-2019年），其中显示科学与技术四川省重点实验室获优秀类实验室；网络与数据安全四川省重点实验室、太赫兹科学技术四川省重点实验室、数字媒体技术四川省重点实验室获良好类实验室。同时，成都卫士通信息产业股份有限公司与电子科技大学共建的可信云计算与大数据四川省重点实验室也获得了优秀类实验室。 全省参加此次评估的实验室共计16个，其中获优秀类的3个

大屏幕拼接系统是由单套投影显示单元组合拼接而成的高亮度、高分辨率、色彩还原准确的电视墙，核心器件包括P光学引擎、图像处理器等，并通过图像控制软件对显示画面实施控制。其功能强大，能显示各种计算机(工作站)、网络信号及各种视频信号，画面能任意漫游、开窗、放大缩小和迭加。其应用领域随着数字化时代的来临越来越广泛，当前应用较多的是监控、集中调度和通信系统，应用的行业主要分布在公安、军队、交通、政府、金融、能源、大型企业、广电等众多领域

CEVA智慧和互联设备的讯号处理平台和人工智能处理器IP授权许可厂商宣布，Nordic Semiconductor已经获得授权许可，可在其nRF91系统单芯片(SoC)中部署使用CEVA DSP技术以实现低功耗蜂巢物联网连接。 CEVA智慧和互联设备的讯号处理平台和人工智能处理器IP授权许可厂商宣布，Nordic Semiconductor已经获得授权许可，可在其nRF91系统单芯片(SoC)中部署使用CEVA DSP技术以实现低功耗蜂巢物联网连接。这款多模式LTE-M/NB-IoT SoC凭借位于核心的CEVA DSP来确保实现所需的超低功耗和高效性能以满足多种蜂巢物联网使用案例，包括穿戴式设备、资产追踪器、智慧城市、智慧计量和工业物联网

ZS-GF-Z30是一种导热绝缘硅脂，本硅脂无毒、无腐蚀、无味、不干，可在-60℃～+200℃的温度下长期保持使用时的脂膏状态。既具有优异的电绝缘性，又有优异的导热性，同时具有低油离度，耐高低温，耐水、臭氧，耐气候老化的特点，施工性能佳，使用稳定性好。它可广泛涂覆于各种电子产品，电器设备中的发热体（功率管、可控硅、电热堆等）与散热设施（散热片、散热条、壳体等）之间的接触面，起传热媒介作用和防潮、防尘、防腐蚀、防震等性能

信阳小型冷热冲击试验箱销售电话？ 小型冷热冲击试验箱适用范围: 小型冷热冲击试验箱主要是针对于电工、电子产品，以及其原器件，及其它材料在高温、低温、湿热及其循环变化的环境下贮存、运输、使用时的适应性试验。 -------------------------------------------------------------------------------- 小型冷热冲击试验箱操作： 小型冷 东莞艾思荔检测仪器有限公司是一家新型的专业化仪器制造厂家。公司全体同仁以高度的民族责任感为己任

InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。 以 InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。.这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域有良好的应用前景.此外 InAs 单晶具有很高的电子迁移率 是一种制作 Hall 器件的理想材料