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研究领域：硅辐射探测器技术、半导体工艺TCAD技术。 2006年1月，北京大学微电子所，获得微电子学与固体电子学专业的理学博士学位。 1999年7月，北京师范大学低能核物理所，获得凝聚态物理专业理学硕士学位

10月13日，中央汽车企业数字化转型协同创新平台成立大会在天津市举行。国资委党委委员、副主任任洪斌出席大会并致辞，国资委副秘书长庄树新参加活动。中国电子副总经理、党组成员陈锡明作为发起单位代表参加活动

近日，中科院大连化物所吴忠帅研究员与包信和院士、中科院物理研究所郭丽伟研究员合作，采用高温热解SiC法制备出高堆叠密度、单取向阵列、直接键合基底的站立石墨烯，并将其应用于高功率微型超级电容器。相关研究成果发表在美国化学会纳米期刊上。 多功能集成电路的不断发展增加了对小型化、集成化微纳储能系统的需求

投资界（微信ID：pedaily2102）消息，半导体硅片制造企业晶睿电子近日获9000万人民币战略投资，投资方为民德电子。 晶睿电子主要从事半导体硅片的研发、生产和销售，是一家半导体硅片制造企业。公司主营业务为6、8、12英寸高性能硅外延片的研发、制造和销售

随着半导体产业的快速发展，“化合物半导体”的新兴应用和未来趋势，是近年业界最热门的议题之一，以碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)为主的第三代半导体应用逐渐落地。除此之外，拥有“第四代半导体”之称的新一代超宽能隙材料氧化镓(Ga2O3)和钻石等新一代材料，将成为下一波瞩目焦点。 本次将邀请产学界专家，针对碳化硅长晶技术、氮化镓(GaN)制程技术与设备发展及第四代半导体氧化镓(Ga2O3)的应用领域，从不同角度剖析进行经验分享，共同探讨新技术所带来的变革与市场机会

【会议邀请】12月1日《Bodo's宽禁带半导体论坛》惊艳亮相深圳ES SHOW！ 以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体已成为国内外头部企业竞争的新焦点。根据《“十四五”规划和2035年远景目标刚要》，集成电路先进工艺和IGBT、MEMS等特色工艺突破，SiC、GaN等宽禁带半导体发展攻关成为重要任务，功率半导体行业发展处于“攻坚克难”时期。 经过多年部署，我国形成了长三角、京津环渤海、泛珠三角和中西部区域四个集成电路产业集聚区

每种物品在使用中都有一定的使用寿命，而且到了一定时间就会损坏而无法使用，垃圾焚烧炉也是这样，影响垃圾焚烧炉使用寿命的因素有哪些呢?垃圾焚烧炉使用情况复杂，因为焚烧材料属性不同，不一定是酸性，也不一定是碱性，因此内衬所用耐火材料的使用会受到严重侵蚀，使用寿命也因此受到不定因素的影响。 1.首先是炉内气氛对耐火材料的影响，通常垃圾焚烧炉都是氧化气氛，但有时气体深度会使炉内温度和压强发生微妙的变化，动物焚烧炉中SIC质材料的耐蚀性要好，因此，选择碳化硅质材料是很好的选择。 2.还有Cao和SiO2的影响，垃圾焚烧炉很容易产生残渣----炉渣，主要成分为碱性，但也有可能有酸性，也就是说，中性物质会受到影响，如果钙和二氧化硅变大，那么侵蚀性也会变大，那么就要使用碳化硅砖来防止侵蚀

碳化硅红外光源碳化硅是什么？ 碳化硅红外光源碳化硅是什么？碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在各种多型体(多晶型体)，它们的物理特性值各有不同

2021年5月，bob游戏官网-(中国)有限公司获批“广东省博士后创新实践基地”和“广东省博士工作站”（省人社厅）; 2021年6月，bob游戏官网-(中国)有限公司连续九年(2012-2020)获得广东省守合同重信用企业; 2021年11月，bob游戏官网-(中国)有限公司获得“东莞市百强创 2020年12月，bob游戏官网-(中国)有限公司获得广东省工程研究中心-第三代半导体SiC外延材料称号（省发改委）。 2019年11月，我司联合深圳第三代半导体研究院、东莞南方半导体共建“广东省第三代半导体技术创新中心”。 同年，广东省科学技术厅授牌我司为“广东省第三代半导体SiC外延材料工程技术研 2018年5月，新引进生产线调试完成，4英寸、6英寸碳化硅外延片产能达到量产规模

中汽中心软件测评中心与紫光国微达成芯片认证合作！ 据紫光国微消息，中国汽车技术研究中心（以下简称“中汽中心”）成立“汽车芯片测试认证工作组”。在10月22日的启动会上，紫光国微作为芯片厂商代表，与中汽中心检测认证事业部软件测评中心（以下简称“软件测评中心”）就汽车安全芯片ACS-EAL4+测试认证合作进行签约。 自2020年下半年以来“芯片荒”在全球蔓延，全球汽车市场受到重创