beo

随着电子时代的发展，移动通信、平板显示、太阳能光伏和节能照明等电子信息产业的迅速普及，电子电器产品持续向数字化、小型化、柔性化、多功能化、高可靠性、低能耗等方向发展，与之密切相关的电子封装技术进入了超高速发展时期。 陶瓷电路板封装基板材料必须满足的要求： 1）高热导率，低介电常数，有较好的耐热、耐压性能； 2）热膨胀系数接近芯片材料Si或GaAs，避免芯片的热应力损坏； 3）有足够的强度、刚度，对芯片和电子元器件起到支撑和保护的作用； 4）成本尽可能低，满足大规模工业生产应用的需求； 5）具有良好的加工、组装和安装性能。常用的电子封装基板材料包括有机封装基板、金属基复合基板和陶瓷封装基板三大类

随着电子时代的发展，移动通信、平板显示、太阳能光伏和节能照明等电子信息产业的迅速普及，电子电器产品持续向数字化、小型化、柔性化、多功能化、高可靠性、低能耗等方向发展，与之密切相关的电子封装技术进入了超高速发展时期。 陶瓷电路板封装基板材料必须满足的要求： 1）高热导率，低介电常数，有较好的耐热、耐压性能； 2）热膨胀系数接近芯片材料Si或GaAs，避免芯片的热应力损坏； 3）有足够的强度、刚度，对芯片和电子元器件起到支撑和保护的作用； 4）成本尽可能低，满足大规模工业生产应用的需求； 5）具有良好的加工、组装和安装性能。常用的电子封装基板材料包括有机封装基板、金属基复合基板和陶瓷封装基板三大类

氮化铝(AlN)为取代Al2O3、BeO、SiC等陶瓷的新时代材料，其具有优越的机械性质、高的热传导率、高的绝缘电阻系数等性质，让氮化铝可大量使用在散热片、电子陶瓷基板、或元件的封装材料上。不过，因为氮化铝结构陶瓷为共价化合物，常温下具备极高之硬度及机械强度，属于高强度之硬脆材料；要针对氮化铝陶瓷进行加工制程，以符合不同产品应用的规格要求，比起一般氧化铝陶瓷就会更加困难。本技术为开发氮化铝ingot加工技术，以克服氮化铝本身材质的硬度极高且其脆性大的困难点，达成对氮化铝材料对于商用之严格要求

氮化铝陶瓷片具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。 (1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上； (2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配； (4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结； 1、氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。 2、氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料

导热硅胶垫是一种导热介质，用来减少热源表面与散热器件接触面之间产生的接触热阻。在行业内，也可称之为导热硅胶片，导热硅胶垫，软性散热垫等等。不同生产厂家其导热硅胶垫的制作生产流程存在一定的差异：以一般固体有机硅胶为原料的导热材料，导热硅胶垫片生产工艺过程主要包括：原材料准备→塑炼、混炼→成型硫化→休整裁切→检验等五个步骤

耐高温陶瓷材料用于某种装置、或设备、或结构物中，能在高温高温结构陶瓷，用于某种装置、或设备、或结构物中，能在高温条件下承受静态或动态的机械负荷的陶瓷。具有高熔点，较高的高温强度和较小的高温蠕变性能，以及较好的耐热震性、抗腐蚀、抗氧化和结构稳定性等。高温结构陶瓷包括高温氧化物和高温非氧化物（或称难熔化合物）两大类