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本文摘要：近日，据报导，三星将投资60亿美元在华城工厂建设一条新的半导体生产线，该生产线将生产7nm或更加小的芯片。三星期望该生产线2019年已完成生产线建设，并在2020年开始运营。三星回应，该工厂将加装极紫外(EUV)光刻设备，这将有助三星在超大规模构建方面维持技术领先地位

韩媒报道，全球第一光刻胶大厂日本JSR计划将在韩国青州建立一条生产用于ArF的光刻胶产线，用于供货三星电子。 日本JSR公司是全球最大的光刻胶生产厂商，占全球市场24%份额。由于日本的出口管制政策，韩国半导体产业，特别是三星电子在努力推动半导体原材料的本地化及供应量的多样性、稳定性，JSR自然不愿失去这一巨大的市场，因此推动在韩国本地建立产线，规避出口限令

处理过程是用ArF激光器照射处在某气态物质氛围中的PTFE使该气态物质与PTFE微粉表面发生基团反应.可根据PTFE的不同用途选择不同的反应物质进行改性.例如选择[B(CH3)3]3作反应物质改性后的表面是亲油性的而选择NH3B2H6N2H4(肼)或H2O2等作反应物质改性后的表面是亲水性的.用芳香族化合物对PTFE微粉改性可以大大提高其粘接强度.此法的优点是简便安全还可以根据实际需要对PTFE表面进行有选择的改性避免了化学处理法的盲目性这在实际应用中是非常有利的.此外改性后的PTFE表面耐久性要比辐射法用N2的等离子体法好得多.人们已经成功地利用此法在处理过的PTFE表面上镀金属镍.这一研究以日本都市大学Murhara教授领导的研究小组最有代表性. 在ArF激光器的引发下PTFE表面分子脱氟形成自由基引发单体在其上聚合形成接枝聚合物接枝链是易粘接的物质它以化学键的形式与PTFE微粉分子相连并附着在PTFE表面形成一层该化学物质的表面层这样就把PTFE的粘接问题转化成该物质的粘接简化了PTFE的粘接.例如在ArF激光器照射下CH2CHCON(CH2NH3)2可与PTFE表面发生接枝聚合反应改性后的PTFE对水的接触角下降到20°.此外有报道称改善PTFE的粘接性能也可以从成型过程入手.在PTFE成型之前向其中加入一种光吸收剂烧结后再用紫外激光照射不仅可改善润湿性而且耐热耐光照性能也得到大大提高.改性后的PTFE与钢板粘接剥离强度可达到2.0776N/mm.