16nm
根据快速技术，正好从台湾的苹果产业链传来消息说，iphone 6s将明确采用2gb的lpddr4存储器。 这个消息我听了好几遍，每次听都很期待。 根据台湾产业链公布的信息，苹果已经忙于购买新一代iphone所需的2gb lpdd R4内存，他强调，今年的新款iphone将成为配置最激烈的一代iphone
本文摘要：中芯国际是中国仅次于的半导体代工厂，其代表着中国半导体生产的最先进设备水平，近期其先后公布两大消息--2018年量产16nm和今年投资金额提高到25亿，两项指标都多达了全球第三大代工厂联电，这或许伴随着它于是以未来将会多达联电成全球第三大代工厂。 目前在生产工艺方面，三星已获得领先地位，刚量产了10nm工艺，而台积电预计在年底量产10nm，这两家正处于第一阵营，是必要的竞争对手。 中芯国际是中国仅次于的半导体代工厂，其代表着中国半导体生产的最先进设备水平，近期其先后公布两大消息--2018年量产16nm和今年投资金额提高到25亿，两项指标都多达了全球第三大代工厂联电，这或许伴随着它于是以未来将会多达联电成全球第三大代工厂
译者：玩币族ElaineHu 据报道，比特币开采平台制造商比特大陆(Bitmain)Bitmain在2019年前两个月亏损6.25亿美元。然而，基于对新7nm矿机的需求，该公司对翻身寄予厚望。 根据中国一家新闻媒体的报道，比特大陆第一季度的总营业收入为10.82亿美元，三个月的收入分别为2.53亿美元、2.53亿美元和5.79亿美元
华为nova2plus终于在许多粉丝的期待中正式发布了，对于这部手机，相信对于它的价格与配置方面的讯息很多人还不是很清楚吧，那么华为nova2plus价格多少钱?华为nova2plus配置参数怎么样?不要着急，下面就和小编一起来了解下吧。 华为nova2plus价格多少钱? 华为在湖南长沙发布了其主打“娱乐、潮流”的nova系列新成员—“高颜值爱自拍”的nova2系列新机。张艺兴亲临发布会现场为产品站台，关晓彤则带着nova2出席戛纳电影节并大玩自拍
NVIDIA GTX 1050显卡双版本曝光：Ti归来！ NVIDIA GTX 1050系列显卡已经确定10月份登场。 等等，为什么要说系列呢？因为它会有两个版本，一个叫GTX 1050，另一个则叫GTX 1050 Ti！ 它们俩都会使用新的核心GP107，16nm工艺，帕斯卡架构。 GTX 1050 Ti的核心编号为GP107-400，768个流处理器，核心频率基础1290MHz、加速1382MHz，浮点性能2.12TFlops，同时搭配128-bit 4GB GDDR5显存
报道称，台积电目前正在使用16纳米制程为小米生产澎湃S2处理器。消息人士称，尽管初始订单量并不多，但小米的后续订单可能会随着芯片组开发能力的提高而大幅扩大。 据悉，澎湃S2基于台积电16nm工艺制程，采用了八核心设计，但与上代相比改换了4核A73+4核A53的设计架构，其中4核A73主频在2.2GHz左右，4核A53的频率则在1.8GHz左右，在GPU上采用了Mali G71MP8，支持UFS2.1和LPDDR4内存，但遗憾的是仍然不支持CDMA网络，综合性能评价看起来与麒麟960持平
2月14日，中芯国际昨日披露，去年第四季度，第一代FinFET 14nm贡献1%营收。中芯国际中芯国际昨日披露了2019年第四季度财报。在财报中，中芯国际联合首席执行官，赵海军和梁孟松披露，第一代Fi 2月14日，中芯国际昨日披露，去年第四季度，第一代FinFET 14nm贡献1%营收
华为在CES 2016展会发布了多款新品，其中手机产品包含国际版华为Mate8和全新金色版Nexus 6p。2015年年末，对于Mate8来说很不平静。总之，经得起多大的诋毁就受得起多大的赞美
【TechWeb】9月1日消息，据国外媒体报道，在2020年第二季度财报电话会议中，区块链第一股、比特币矿机制造商嘉楠科技（Canaan Inc.）表示，它正在加紧研发下一代人工智能（AI）芯片K510，该芯片预计将在2021年第一季度之前开始量产。 此外，嘉楠科技还表示，这款新芯片已经收到了大量客户的测试要求。 在财报电话会议中，该公司还表示，今年第二季度，大疆的STEM教育项目之一选择了其K210芯片
台积电突然对外公布了16nm FinFET技术，是不是有点意外？据悉，台积电官网宣布推出大学FinFET专案，目的在于培育未来半导体芯片设计人才并推动全球学术创新。 此专案开放大学院校师生与学术研究人员使用业界最成功的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术之制程设计套件(PDK)，将其芯片设计学习经验提升至先进的16nm FinFET 技术。 按照官方的描述来看，这次开放的技术，是以台积电N16制程为主的教学用设计套件，包括教育设计案例、训练资料、以及教学影片，引领学生从传统平面式晶体管结构进入到鳍式场效应晶体管结构