束流
14日，“十三五”国家重大科技基础设施高能同步辐射光源（HEPS）直线加速器满能量出束，成功加速第一束电子束。由此，HEPS进入科研设备安装、调束并行阶段。 HEPS是中科院、北京市共建怀柔科学城的核心装置，由国家发展改革委批复立项，中科院高能所承担建设，自2019年6月启动建设，建设周期为6.5年
本文摘要：根据《人民日报》的报导，我国总投资将近百亿元的硬X射线自由电子激光装置项目5号实验井桩基启动。据报，目前，X射线自由电子激光装置已沦为发达国家争夺战21世纪科技至高点的不可或缺高科技基础设施。上海的硬X射线自由电子激光装置竣工后，将沦为世界上最高效和最先进设备的自由电子激光用户装置之一
超大规模集成电路制造过程中要反复用到的溅射(Sputtering)工艺属于物理气相沉积(PVD)技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一。 欧凯靶材小编指出，溅射工艺用离子源产生的离子，在高真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。 溅射靶材的种类较多，即使相同材质的溅射靶材也有不同的规格
Beam Diagnostic Instrumentation System 5000基于Hahn-Meitner-Institute开发，为用户提供完整的束流诊断仪器系列，包括机械和相关电子设备。 束流轮廓监测系统5100用于测量中低能粒子加速器（例如质谱仪，同位素分离器和Van de Graaff加速器）中的离子束或电子束的强度、分布和位置数据。 束流诊断仪器5200系统用于涵盖基于同步加速器的粒子治疗加速器系统所需的粒子束诊断监测和控制，对精度、质量和可靠性有非常高的要求
离子注入（一种掺杂形式）是集成电路制造中不可或缺的一环。随着芯片设计的日益复杂，所需的离子注入工序亦相应增加。当今，采用嵌入式存储器的 CMOS 集成电路的注入工序可能多达 60 多道
为进一步提升产业发展质量，打造集成电路、高端交通装备产业高地，浦口经济开发区将于2020南京金洽会期间举办“浦口区重大项目集中签约仪式暨首届商用车电动化与智能化论坛”活动，聚焦新能源汽车产业链发展，为与会的企业代表和客商提供一个精准对接、深入洽谈、务实高效的经贸合作平台。 2020中国南京金秋经贸洽谈会将于9月16日-9月21日举行。本届金洽会以“开放合作、共享机遇、共赢未来”为主题，搭建载体与客商“云端+”互动交流场景，实现全球嘉宾“云连线”，旨在全方位推介南京市投资环境、开展项目洽谈、展示招商成果
Beam Diagnostic Instrumentation System 5000基于Hahn-Meitner-Institute开发，为用户提供完整的束流诊断仪器系列，包括机械和相关电子设备。 束流轮廓监测系统5100用于测量中低能粒子加速器（例如质谱仪，同位素分离器和Van de Graaff加速器）中的离子束或电子束的强度、分布和位置数据。 束流诊断仪器5200系统用于涵盖基于同步加速器的粒子治疗加速器系统所需的粒子束诊断监测和控制，对精度、质量和可靠性有非常高的要求
12月7日，中国科学院与日本理化学研究所（RIKEN）共同举办了合作四十周年纪念仪式。纪念会上颁发了相关奖项，近代物理所周小红研究员荣获中国科学院与日本理化学研究所合作贡献奖。 周小红研究员于1996年至1999年在RIKEN访学，期间与石原正泰教授等共同开展了同核异能态束流的开发、以及中子数为83的同中子素核结构的研究等，自此双方研究人员建立了良好的合作关系
离子束刻蚀机分辨率高，可用于细小图形的蚀刻。离子束加工小孔的优点是孔壁光滑，不会对邻近区域产生应力和损伤，可以加工任何形状的小孔，小孔的形状只取决于口罩的孔型。 将样本置于真空系统中，使其表面自然形成-一种受污染的抗腐蚀剂口罩，用电子束曝光显影，形成线宽8nm的图形，然后用离子束浸蚀，离子束流密度0.1mA/cm，离子能量1keV；另一种将线宽8nm，深宽比提高到2.5:10，线宽20nm，厚度8nm
钨灯丝电镜的钨灯丝寿命和什么有关？ 钨灯丝电镜作为样品微观形貌观察的有力工具，正越来越迅速、广泛地应用于化学、材料以及高分子等领域。相对透射电镜而言，钨灯丝扫描电镜有真空度低、电子束流大、制样及使用方便等优点，因此扫描电镜的使用机时几乎列于所有仪器首，这就暗示了仪器的维护保养必须作为仪器使用和仪器管理人员的头等大事，因为维护和保养可大限度的消除一些对电镜图像的干扰因素，使仪器时刻处于良好的工作状态，获得良好的图像质量和分析结果，同时通过不断的维护与保养能够及时发现并解决潜在的问题。否则会降低仪器的有效运行时间和性能、增加仪器运行的成本、污染仪器降低仪器的使用寿命，同时也会严重影响科学事业发展的步伐