2nm

华强电子网消息，高通发布了最新的5G基带骁龙X60，作为全球首款5nm基带，据悉X60可以将Sub-6下载速度提升到5Gbps以上，而mmWave最高可以达到7.5Gbps。频谱聚合使载波可以组合他们访问不通的频率，借此传输更多的数据。 从最近的手机圈消息来看，小米10的发布成为智能圈里热议的话题，而高通又突然为智能手机圈再添信心

给对手泼一盘大冷水 - 有传台积电将跳过 2nm 直接研发 1.4nm，三星反超无望? 台积电曾多次表示 3nm 制程将于下半年规模投产，不过 Samsung 指将有望“超车”台积电，公布的纸面数据上优于前者，同时有消息指其 3nm 已经开始量产。 不过早前曾有传出 Samsung 3nm 出现严重良率问题，虽官方没有承认，但据以过成绩也并不是空穴来风。至于台积电 3nm 制程依旧延续 FinFET 晶体管结构，而非像对手采用更先进的 GAA 晶体管，显然是道行更深，知道目前制程节点命名的混乱，而良率的高低才是皇道，所以采用更纯熟的技术比更先进技术，更易抢得先机

天津瑞思光学有限公司主要从事显微镜、化验室仪器设备制造、加工、维修、维护；化工产品（危险品、易制毒品除外）批发兼零售；光机电一体化技术及产品的开发、咨询、服务、转让； 电子显微镜，简称电镜，英文名Electron Microscope(简称EM)，经过五十多年的发展已成为现代科学技术中不可缺少的重要工具。电子显微镜由镜筒、真空装置和电源柜三部分组成。 电子显微镜技术的应用是建立在光学显微镜的基础之上的，光学显微镜的分辨率为0.2μm，透射电子显微镜的分辨率为0.2nm，也就是说透射电子显微镜在光学显微镜的基础上放大了1000倍

活性炭是一种经特殊处理的炭，将有机原料（果壳、煤、木材等）在隔绝空气的条件下加热，以减少非碳成分（此过程称为炭化），然后与气体反应，表面被侵蚀，产生微孔发达的结构 （此过程称为活化）。由于活化的过程是一个微观过程，即大量的分子碳化物表面侵蚀是点状侵蚀 ，所以造成了活性炭表面具有无数细小孔隙。活性炭表面的微孔直径大多在2～50nm之间，即使是少量的活性炭，也有巨大的表面积，每克活性炭的表面积为500~1500m2，活性炭的一切应用，几乎都基于活性炭的这一特点

波长重复性是指波长的实际测定值与理论值的差，是分光光度计的重要技术指标，特别是在对多台仪器的测试结果进行比较时波长显得格外重要，如果仪器的波长准确度不好，就无法进行比较或比较不出正确的结果。因为对同一物质，在不同波长测试时，由于不同波长时摩尔吸光系数不同，就会有不同的灵敏度，即使是同一样品，测试的数据也不会相同。 引起波长的不准确，主要有：仪器的本身变形，给光栅的传动结构带来了影响，从而影响波长的准确度;光栅传动结构的精度，这对波长准确度具有决定性的作用，国内目前多数采用丝杆、扇形齿轮以及电机直接带动等，这其中丝杆结构基本上能让波长准确度做到±0.5nm，电机直接带动结构一般能够做到±1.5nm，扇形齿轮结构一般能够做到±2nm，所以丝杆结构相对较好，目前也有很少一部分厂商采用扇形齿轮加丝杆来进行传动，当然这种结构的波长准确度会更高一些

活性炭是一种黑色粉状、粒状或丸状的无定形具有多孔的碳，主要成分为碳，还含少量氧、氢、硫、氮、氯。也具有石墨那样的精细结构，只是晶粒较小，层层间不规则堆积。 具有丰富的孔隙结构和较大的比表面积(500～1500㎡/克)，有很强的吸附性能，能在它的表面上吸附气体、液体或胶态固体，对于气体、液体，吸附物质的质量可接近于活性炭本身的质量

海德能公司推出的纳滤膜包括脱盐率分别为40%、70%、90%三大系列近10个品种。 纳滤膜介于反渗透和超滤之间，孔径在1nm以上，一般1～2nm。主要去除一个纳米左右的溶质粒子，截留相对分子质量在200～1000

符合JJG 861- 2007 《 酶标分析仪》国家计量检定规程的要求，可以作为计量技术机构对酶标分析仪检定校准用的计量标准器。 波长标准样块波长标称名义值为 405 nm、 450 nm、 492 nm和 620 nm ，波长标准值与名义值偏差± 2nm 符合 JJG 861- 2007 《 酶标分析仪》国家计量检定规程的要求，可以作为计量技术机构对酶标分析仪检定校准用的计量标准器。 定值波长405 nm、450nm、492nm和620nm 吸光度标准值定值扩展不确定度优于0.01A (k=2) 技术机构对酶标分析仪的灵敏度参数进行检定校准用的计量标准器

简要描述： 756型紫外可见分光光度计采用低杂散光1200条/mm高性能光栅，C-T式单色器结构，确保仪器的高分辨率、低杂散光、波长的高精度、良好的光度线性。特有的波长控制系统，可自动设置波长，并具有*的自动修正波长功能。756型紫外可见分光光度计采用进口的光电转换器

在最新的2019年年报中，台积电确认5nm已经进入量产阶段，3nm正在持续研发，同时今年还会加快2nm(N2)的研发速度。 台积电透露，2019年已经在业内率先启动2nm工艺研发，并在关键的光刻技术上进行2nm以下技术开发的前期准备工作。 台积电从7nm工艺开始导入EUV极紫外光刻技术，5nm上也顺利转移，而且在3nm上展现了优异的光学能力和符合预期的良品率，所以在2nm和后续更先进工艺上，台积电将继续重点改善EUV技术的质量与成本