Abstract: 本论文中，以有限差分时域法与平面波展开法模拟分析氮化镓光子晶体结构与特性，利用电子束微影技术定义出所设计尺寸，再以干蚀刻方式将图样转移至氮化镓材料上，成功制作出氮化镓二维光子晶体结构，在此利用二维光子晶体结构在平面上当作共振腔，有效抑制二维平面上之自发辐射，使光有效局限于结构中缺陷的位置，并架设微光致萤光系统，量测氮化镓二维光子晶体共振腔之光致萤光光谱，由最后结果可发现经由二维光子晶体共振腔的制作，其光致萤光光谱之谱线与未做光子晶体结构之氮化镓光致萤光光谱谱线之明显差异， 在此论文中成功量得氮化镓光子晶体之缺陷模态。在共振波长的光谱强度明显有增益现象并且半高宽缩小至约为3nm左右。
