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Rambus Inc.是一家专注于使数据更快更安全并领先业界的silicon IP和芯片提供商。今天，宣布它的 HBM2E内存接口解决方案实现了创纪录的4 Gbps性能。该解决方案由完全集成的PHY和控制器组成，搭配业界最快的，来自SK hynix的3.6Gbps运行速度的HBM2E DRAM，该解决方案可以从单个HBM2E设备提供460 GB/s的带宽

Rambus Inc.是一家专注于使数据更快更安全并领先业界的silicon IP和芯片提供商。今天，宣布它的 HBM2E内存接口解决方案实现了创纪录的4 Gbps性能。该解决方案由完全集成的PHY和控制器组成，搭配业界最快的，来自SK hynix的3.6Gbps运行速度的HBM2E DRAM，该解决方案可以从单个HBM2E设备提供460 GB/s的带宽

在8月26日的2020世界半导体大会暨南京国际半导体博览会上，台积电（南京）有限公司总经理罗镇球介绍，台积电在芯片研发上采取“小步快走”的模式，目前7纳米芯片已经有140个以上的产品实现批量生产，预计到今年年底之前这一数字会超过200个。同时，5纳米现在已经进入批量生产阶段，其良率远远好于三年前的7纳米。同时，台积电在功耗、性能和面积上进一步升级，预计明年会正式批量生产4纳米芯片

晶圆代工龙头台积电（2330）3日宣布推出大学鳍式场效晶体管（FinFET）专案，目的在于培育未来半导体芯片设计人才并推动全球学术创新。此专案开放大学院校师生与学术研究人员使用业界最成功的FinFET技术之制程设计套件（PDK），将其芯片设计学习经验提升至先进的16奈米FinFET技术。 同时，此专案也提供大学院校领先的芯片研究人员使用16奈米N16制程，7奈米N7制程的多专案晶圆（Multi-Project Wafer，MPW）服务，将具有影响力的创新研究加速导入实际应用

据最新消息称，台积电将以6nm制程拿下Intel明年GPU代工订单，而他们将在今年底正式推出Xe-LP GPU，正式进入GPU市场。 据悉，台积电6nm制程技术（N6）于2020年第一季进入试产，并于年底前进入量产。随著EUV（极紫外光刻）微影技术的进一步应用，N6的逻辑密度将比N7提高18%，而N6凭借与N7完全相容的设计法则，也可大幅缩短客户产品上市的时间