光物理
物信讲坛第一百二十三讲“金属有机材料与器件” 陈忠宁,中国科学院福建物质结构研究所研究员,博士生导师。1994年获南京大学博士学位,1998-1999年德国弗莱堡大学洪堡学者,1999-2001年日本北海道大学JSPS博士后。2000年入选中国科学院百人计划,2006年获国家杰出青年基金资助,2007年入选新世纪百千万人才工程国家级人选、2009年获政府特殊津贴
传统的除锈除垢方法包括物理除锈方法,如喷砂、抛光、刮削装置、附加吹扫、钢丝刷等。也有化学方法,如用碱性或酸性化学物质去除氧化层。然而,这些方法不仅会造成环境污染,而且还会对基体金属造成破坏
太赫兹(THz)辐射位于中红外和微波辐射之间,由于其单光子能量低和谱“指纹性”等独特优势,在材料科学、生物医疗和国防安全等领域具有重要应用价值。然而大能量太赫兹辐射源的缺乏是限制太赫兹科学和应用发展的关键瓶颈问题之一。有多种电子学和光学的方法可以获得太赫兹辐射,但到目前为止,公开报道的太赫兹脉冲能量均小于毫焦
简 历: 曾毅,研究员,2004年毕业于中国科学技术大学高分子系,获理学学士学位;2009年毕业于中国科学院理化技术研究所,获理学博士学位。2009年?2011年在中国科学院理化技术研究所任助理研究员,2012年至今任副研究员。2009年获中国科学院宝洁奖学金,2012年获“香江学者计划”资助
在本科期间有多项论文发表于顶尖期刊,本科科研经历丰富,收到包括University of Washington UCLA University of Rochester CU Boulder等学校物理系PhD offer,目前就读于华盛顿大学PhD,方向为量子材料与光电子器件;对物理、应用物理、材料、电子工程PhD申请有丰富的经验。 服务说明:在2019申请季中获得超过6所大学的Physics PhD offer,对原子分子光物理和凝聚态物理PhD申请以及世界各大学具体课题组的情况非常了解。在课程前请阐明自己的兴趣和方向,以及提供一个简单的简历,导师可以提供个性化的申请指导建议
主讲人简介: 杨杰,清华大学化学系长聘副教授。2010年本科毕业于南京大学物理系,2016年博士毕业于内布拉斯加大学物理系。2016.6—2021.1在美国SLAC国家实验室工作,先后任助理研究员、副研究员、研究员
我们课题组主要针对“溶剂化科学”中的基本科学问题,集中研究具有推拉电子基团的超支化分子溶剂化、离子液体的溶剂化、和溶剂(包括水分子)分子对生物大分子的光动力学反应的调控机理。利用实验室发展的多种超快时间分辨光谱技术,以非均匀的受限分子结构体系(比如具有推拉电子基团的有机功能超支化分子体系、蛋白质和DNA等)体系为研究对象,系统研究非均匀体系中溶剂分子(有机溶剂和水)的溶剂化行为(包括溶剂化光物理过程和溶剂化光化学反应过程)的动力学。 我们期望为“溶剂化科学”在分子水平上对复杂分子体系与溶剂分子的相互作用机制进行探讨,研究溶剂分子对激发态衰变过程的竞争、化学反应的调控、量子过程的响应和反馈方式,建立相关溶剂化反应动力学模型,赋予表观性的溶剂化动力学信息更多的原理性内涵
日前,物理学院郝晓涛教授收到英国物理学会确认通知,当选为英国物理学会会士(Fellow of the Institute of Physics,FInstP)。郝晓涛教授是2010年以来继陈峰教授之后物理学院第二位当选的英国物理学会会士。 英国物理学会(Institute of Physics,简称IOP)成立于1873年,是一个致力于提高对物理学理解和应用的知名国际性学术机构,其使命是促进物理学的发展和其在全世界的传播,致力于在全球范围内推动和传播物理学的研究和应用 以及促进物理学教育的发展
利用简化模型估算了电荷分离场及由超热电子逃逸在等离子体表面产生的自生磁场的大小和空间分布.受电荷分离场的影响以及超热电子逃逸数的限制,超热电子产生的环形磁场主要分布于等离子体表面附近的焦斑半径内,仅当超热电子束流很强时(在1μm半径截面内达到103A量级),环形磁场才可以达到102T量级.一般情况下,由超热电子产生的磁场极小. 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:19825110)和国家高科技惯性约束聚变基金资助的课题. 1. 中国科学院物理研究所光物理开放研究实验室,北京 100080 摘要: 利用简化模型估算了电荷分离场及由超热电子逃逸在等离子体表面产生的自生磁场的大小和空间分布.受电荷分离场的影响以及超热电子逃逸数的限制,超热电子产生的环形磁场主要分布于等离子体表面附近的焦斑半径内,仅当超热电子束流很强时(在1μm半径截面内达到103A量级),环形磁场才可以达到102T量级.一般情况下,由超热电子产生的磁场极小.
来自中国吉林大学一科研团队在揭示二维半导体材料光物理机制上取得新进展,为提升太阳能电池等光电转换效率找到新办法。该成果于近日发表在国际著名学术期刊《自然通讯》杂志上。 近年来,既具有与石墨烯类似的极限物理厚度,又具有石墨烯所缺失的直接带隙能带结构的二维半导体单层材料——过渡族金属硫族化合物单层,展现出了比石墨烯还丰富的光物理特性,在超薄且柔性的能量转换及存储领域受到了广泛的关注