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适逢五一劳动节，假期之际，跑会来一个晨跑，带跑友们跑转南区。 选择在香港仔运动场寄存物品，因在南港岛线海洋公园站，步行约5分钟就到达，非常方便。运动场正门有大量储物柜可供使用(自备挂锁/10元硬币)，亦可到旁边黄竹坑体育馆借用储物柜，对跑手来说，方便存放物品！ 路线由香港仔运动场出发，跑至鸭脷洲和华富邨，全长约15公里，五一劳动节虽是假期，但以跑步开心过假期！ 首先在运动场跑一圈热身，再作简单拉筋

增材制造（Additive Manufacturing，AM）技术是采用材料逐渐累加的方法制造实体零件的技术，相对于传统的材料去除－切削加工技术，是一种“自下而上”的制造方法。近二十年来，AM技术取得了快速的发展，“快速原型制造（Rapid Prototyping）”、“三维打印(3D Printing )”、“实体自由制造(Solid Free-form Fabrication) ”之类各异的叫法分别从不同侧面表达了这一技术的特点。 增材制造技术是指基于离散-堆积原理，由零件三维数据驱动直接制造零件的科学技术体系

公司地址： 深圳总部：光明区马田街道马头山社区南环大道电联科技大厦D号楼1213 莱特股份成立于2000年，拥有全资公司广东深莱特科技股份有限公司，致力于半导体产品、红外传感模组及高品质LED的封装，经过20余年砥砺前行，莱特不仅建有业内最先进的LED及半导体封装生产线，也全面导入ISO9001:2008、ISO14001:2004、PB-Free、RoHS、ERP、MES等体系与系统，严格执行行业高端标准，以满足客户对高品质产品的要求。 作为国家高新技术企业，莱特拥有强大的研发实力和完备的检测设备及系统，可以向各类客户提供完善的半导体封测产品，红外传感模组及高品质LED定制化方案。此外，在自身拥有健全的质量保证体系基础上，莱特积极与高校、研究院进行"产、学、研“合作，不断对半导体封测产品及红外传感模组产品进行深入开发，并与行业内顶级海归人才成立半导体封测实验室和红外传感模组开发团体

欧盟官员上周五表示，美国总统特朗普(Donald Trump)在修改《北美自由贸易协定》(North American Free Trade Agreement)谈判中使用的压力策略，在与欧盟的贸易谈判中行不通。他们警告称，欧盟的规模和贸易实力使其在与美国谈判时地位更为平等。 美国通过威胁关闭美国市场，强迫经济与美国高度融合的加拿大和墨西哥修改《北美自由贸易协定》

《尸变2013》是由费德·阿尔瓦雷兹执导的一部恐怖片，西罗佛·南德斯、洁西卡·卢卡斯、珍·李维、卢·泰勒·普奇等参加演出。 改编自山姆雷米1981年拍摄的经典恐怖片EvilDead，描述有酗酒问题的米亚和亲友一块到郊区小屋度假，当他们在屋内发现了一本名为“死亡之书”的神秘书籍后，也唤醒了附近树林的妖魔鬼怪，这群人惨遭恶魔附身展开血腥大屠杀，最后幸存的一人，能否顺利逃出活着离开？ 在越来越多恐怖片经典被翻拍后，鬼玩人也逃不出这个命运，台湾片名再版了第一集的“尸变”，而不是第二集(实际上是导演自己重拍)的“鬼玩人”，关于这片名恩怨我之前写本系列时有写过，反正不管本片叫尸变还是鬼玩人，它都是换了个导演的再版，山姆雷米虽然还是挂名监制，但我们也知道实际上还是要看导演自己怎么玩，他们似乎都认为在这个年头重拍得恐怖片就是要比旧版喷血再喷血，狂爆血袋和更残忍变态就对了，影迷对这种手法评价两极，有人觉得ok还挺恐怖，多数人感想则是破坏经典，失去原味，相较于原版大搞特搞恶趣味诙谐，玩得十分夸张开心，新版一开始就明说是要走纯正残血式恐怖，这风格跟旧版完全不同，那么就让我们来看看是否也能被观众接受吧。 尸变(美国1981年山姆·雷米执导电影) 尸变2013动态壁纸2013 Free LWP 尸变(1981年美国电影) 魔境(2013年百度开发网页游戏)

Google公司最近在它的Google Map产品上添加了一项新功能。现在，在地图上标注的商业机构标签中，你除了能够查到他们的各种信息之外，还能免费给他们打电话。 实现方式和国内前一段时间流行的回拨卡类似

你们健康行的脂肪秤是特制的吗？自由基可以说是现代疾病的主要因素之一，许多研究已发现，自由基与癌症、心脑血管疾病、糖尿病、缺血后重灌注损伤、肺气肿、炎症、眼病、色斑、帕金森氏病和痛风等，都有直接关系。 但是，自由基是什么，怎么来的，除了伤害，有没有益处？好像一直不是太清楚。 船人通过马徐骏整理的文章，摘抄了关于自由基的普及知识，可以对自由基更多一些认识： 谈到自由基，你得先了解新陈代谢的基本原理

自由基(Free Radical)，化学上也称为“游离基”，是含有一个不成对电子的原子团。由于原子形成分子时，化学键中电子必须成对出现，因此自由基就到处夺取其他物质的一个电子，使自己形成稳定的物质。在化学中，这种现象称为“氧化”

单晶电池量产平均效率提升至20%以上；独有PID-FREE特性，避免电致诱导功率衰减。多晶电池量产平均效率提升至17.4%以上；五主栅电极结构，完全自主知识产权，国际专利，突破了日本京瓷公司“三主栅电极结构”专利封锁。 以赵建华博士为首的科学家团队，至今保持着25%的光电转换效率实验室世界记录

苏州纳维科技有限公司创立于2007年，以中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托，立足于设备的自主研发，专注于从事高质量、大尺寸氮化物材料的生长与产品开发，为产业界和研发机构提供各类氮化镓材料，目前公司拥有核心技术专利三十余项，是中国首家氮化镓衬底芯片供应商。 目前公司针对企业、高校和研究所的不同用户，主要提供如下产品：一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光；四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面；五、高结晶度氮化镓粉体材料；六、氮化铝衬底。 苏州纳维将立足于材料生长技术和设备的持续创新，努力在新一代显示、节能照明、微波通讯、电力电子、医学成像等产业领域为下游客户带来核心价值