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本文摘要：据日媒报导，东芝公司为增强半导体产品的性能，将对日本四日市的工厂实行改建，预计花费数千亿日元，闪迪公司将与东芝各分担一半改建费用。 据报，东芝目前已就取得涉及用地进行调整，最慢将在2017年动工投产，而工厂改建的最后投资额将根据半导体市场情况做出辨别。 半导体作为东芝的核心业务，其增强性能的产品主要是用作智能手机的NAND存储器，东芝将对存储量大幅度提高的产品实行跃进

根据全球领先的信息技术研究和顾问公司Gartner的初步统计结果，全球半导体收入在2020年达到4662亿美元，相比2019年增长10.4%。 Gartner研究副总裁Andrew Norwood表示：“在超大规模客户、个人电脑（PC）、超移动设备和5G手机终端市场需求的推动下，存储器、GPU和5G芯片组引领半导体的增长，而汽车和工业电子市场则因新冠疫情导致的支出减少或支出暂停而受到影响。 按照收入，英特尔在2020年继续保持全球第一大半导体厂商的地位，其次分别是三星电子、南韩海力士和美光（见表一）

点序科技发行之工业级 SD 3.0 控制芯片 AS2703 拥有高性能、低耗能的优势，并且同时支援 SD 1.01、SD 1.10、SD 2.02 和 SD 3.01 规格。此外，本产品更搭载单通道高速闪存界面与 BCH 错误检查纠正码，并且支援各种 TLC、MLC 和 SLC NAND Flash。 本产品搭载单通道高速闪存界面与 BCH 错误检查纠正码

集微网消息，三星表示，在截至12月的第四季度中，由于客户继续处理成堆的库存，三星芯片部门的利润暴跌90%以上，至2700亿韩元（2.2亿美元）。营收为4.3万亿韩元，低于分析师平均预期的5.8万亿韩元。 据彭博社报道，由于消费者在电子产品上的支出减少，市场对半导体的需求急剧下降，导致了三星的季度利润大幅下滑

by Dayking KIOXIA 铠侠 (前身为 TOSHIBA) 宣布投入研发 HLC NAND Flash 颗粒，相比目前的 QLC NAND Flash 颗粒，其存储密度将提升 50%，同时堆叠层数也会提升至 600~1000 层，虽然预估量产后 PE 寿命将不到 100 次，但由于存储容量会相当大，这意味着使用一段时间后才会写满一次 SSD。 随着 NAND Flash 的演进，现在 SLC、MLC 颗粒已基本上消失在家用 SSD 产品中，目前是由 TLC 与 QLC 为主流，并且开始向着 PLC 前进，所谓的 PLC 就是每 Cell 存储 5 bits，要储存更多的资料就需要更多的电压层级。 虽然技术难度非常高，但 HLC 的存储密度比 QLC 要高出 50%，对于厂商们来说是非常吸引，不仅每 GB 成本会进一步下降，同时而意味储存容量会大幅提升

日本媒体报道称，国际半导体设备与材料协会（SEMI）12月10日发布预测称，半导体设备的2021年全球市场规模将比上年增长9.8％，达到668亿美元（1美元约合7元人民币），刷新创出此前最高的2018年的644亿美元纪录。预计存储器投资的恢复和面向“逻辑半导体”的投资将拉动市场。中国大陆市场的新增需求也有望增加

据市调机构 DRAMeXchange 指出， 1 月下旬 NAND Flash 合约价持续地反弹，主要反应近期供应商减产效应的持续发酵及客户在中国农历年前的补货需求回温，为因应中国农历年前的客户铺货作业，多数厂商也提前开出 1 月下旬的 NAND Flash 合约价，虽然目前市场对低容量 NAND Flash 的需求已在递减，但在近期 NAND Flash 供应商宣布 2008 年第四季及 2009 年第一季将陆续淘汰约 20% QoQ 200mm NAND Flash 晶圆产量消息的激励下， 8Gb MLC & 4Gb MLC 的平均合约价上涨幅度分别达到 23-27% ，此次的减产在 8 吋的比例最高，造成 4Gb & 8Gb MLC 的 NAND Flash 供应量大减，所以价格的涨价幅度最大。 自 4Q08 以来 NAND Flash 厂商陆续宣布的一些减产或岁修措施，预计将使 1Q09 的 NAND Flash 晶圆产量减少约 10% QoQ ，因此也激励了低迷的 NAND Flash 市场，而在 12 月下旬开始出现了止跌反弹的情况，虽然 1Q09 供给及需求都将同时减少，使得 1Q09 NAND Flash 市场仍将处于淡季供过于求的状况，但农历年前在减产效应及客户库存水位较低的情况下，短期内价格仍可望呈现持稳的状况，由于目前市场对 1Q09 传统淡季的需求仍倾向保守，因此 1 月后的 NAND Flash 价格的后续支撑力道，仍将视整体市场需求的回温程度而定。

据国外媒体报道，韩国芯片巨头海力士半导体周三称，它已经同意与日本东芝公司联合开发和生产下一代内存芯片。 海力士在声明中称，根据这个合作协议，海力士和东芝将联合开磁阻式随机存取存储器（MRAM）。与现有的内存芯片相比，MRAM内存将提高速度和效率

针对 NAND Flash 市场走势，市场调查机构 DRAMeXchange 早前发表四月上旬 NAND Flash 价格报告，指出由于供给减少，令到整体四月上旬 NAND Flash 合约价持续上升，其中 32Gb 的 MLC 与 TLC 颗粒价格上升，不过由于部分厂商已将产能转往 64Gb 以上的高容量颗粒，高容量颗粒价格将呈现缓跌的格局。 据 DRAMeXchange 四月上旬 NAND Flash 价格报告指出， 64Gb MLC 颗粒维持平盘，而 32Gb 的 MLC 与 TLC 颗粒价格较三月下旬呈现 6-12% 升幅，主要原因是 NAND Flash 原厂把 64Gb 颗粒份额提升至 85% 或以上，令 32Gb 颗粒产出下跌，在供货更为吃紧与产能减少的情况下，四月上旬 32Gb 颗粒合约价涨幅较为明显。 现时， NAND Flash 原厂 20 nm 等级的产出比重在第二季正式超过 80% ，智能手机、平板电脑与 Ultrabook 所应用的 eMMC 和 SSD 单机搭载量也逐渐走高，逐渐将产能转往高容量的 MLC 颗粒，减少低容量颗粒产能，因此 64Gb 颗粒作为主要考量，低容量颗粒的产能更将大幅滑落

这可能是苹果公司首度最大的危机！Apple iPhone 6 Plus 被爆储存功能出问题，外传苹果公司为了减少大手机、大容量的制造成本，选择了稳定度较差的 NAND 闪存，因而造成当中的 TLC Flash 出现储存问题，一旦使用者储存超过 700 个应用程序（Apps），手机就会发生当机，必须不断重新开机，而且这已经不是个别案例，当中以 128GB 版本最多人反映，目前苹果公司没有做任何回应，不过如果消息属实，Apple iPhone 6 Plus 将成为该公司史上最快被大量回收的新上市高阶手机。 AppleInsider曾于10月23日报导，苹果支援社群(Support Communities)论坛最近有多名用户重复抱怨iPhone 6 Plus系统崩溃、或不断重开机的问题(讨论串见此)，目前还不清楚故障的原因为何。部分用户把出了问题的手机拿去维修、并拿到店家提供的新手机，有人已经因此连换四支iPhone 6 Plus