返回手机版亚洲城客户端首页 时间：2020-09-04浏览：10来源：研究生处、材料工程学院作者：

集成电路（Integrated circuit IC）一直是世界各国抢占的高地，也是国家综合国力的重要体现。随着IC在智能制造、穿戴设备的广泛应用，三维集成电路（3D IC）逐渐替代二维集成电路(2D IC)实现多芯片间系统的高度集成。当前，二维集成电路互连结构的直径大约为100μm，但是三维集成电路要求互连结构的直径缩小至5μm以下，对应的互连结构在芯片表面的分布密度将会增加104倍，体积也将缩小106倍。在这种高密度下，互连结构晶粒各向异性效应和晶界扩散机制带来的电迁移阻抗、热失效、剪切断裂等失效模式一直威胁3D IC的发展。

上述研究工作受国家自然科学基金（No. 51805316）、中国博士后科学基金面上资助（No. 2019M651491），先进焊接与连接国家重点实验室面上基金（No. AWJ-20-M12）和上海市激光先进制造技术协同创新中心资助。