从集成电路基板去除污染物的方法包括用含有螯合剂的过氧化氢清洁溶液处理基板，并用氢气和含氟气体处理基板，并对基板进行退火。清洁溶液包括铵，过氧化氢，去离子水和螯合剂。螯合剂包括一至三种选自羧酸化合物，膦酸化合物和羟基芳族化合物的化合物。含氟气体为选自由三氟化氮（NF3），hexafluorosulphur（SF的组中选择的气体6），和trifluorochlorine（CLF 3）。
1、一种从集成电路基板上去除污染物的方法，该方法包括：用含有螯合剂的过氧化氢清洁溶液处理基质;用氢气和含氟气体处理基板;和退火衬底。
2、其中过氧化氢清洗溶液包括铵，过氧化氢，去离子水和螯合剂。
3、其中螯合剂包括一至三种选自羧酸化合物，膦酸化合物和羟基芳族化合物的化合物。
4、其中螯合剂的存在量基于清洁溶液的水含量为约百万分之500（ppm）至约5000ppm。
5、清洁溶液的温度为约40℃至约80℃。
7、其中供应的含氟气体的量相对于氢气为约0.1体积％至约5000体积％。
8、氢气和含氟气体被供应到处理室中，等离子体状态的氢气和处于自然状态的含氟气体。
9、包括氮和氩中的至少一种的载气与氢气和含氟气体一起被提供到处理室中。
10、用氢气和含氟气体处理基板的步骤在约-25℃至约50℃的温度和约0.01托至约10托的压力下进行。
11、其中用氢气和含氟气体处理基板的步骤进行约20秒至约600秒。
12、用氢气和含氟气体处理基板的步骤和在基板上退火的步骤在同一处理室内进行。
13、进一步包括在用清洁溶液处理基材后用臭氧水冲洗的步骤。
14、其中清洗液处理和臭氧水冲洗在同一槽中进行。
15、臭氧水的温度为约0℃至约30℃。
16、臭氧水包括去离子水和臭氧，臭氧含量相对于去离子水为约1ppm至约1000ppm。
17、其中臭氧水的温度为约0℃至约30℃。
19、退火基板的步骤在约100℃至约500℃的温度下进行约20秒至约600秒。
20、用氢气和含氟气体处理基板的步骤和对基板进行退火的步骤进行一次或多次。