该设备为高真空ITO箱式镀膜设备，主要用于沉积AZO、GZO等系列透明导电膜，金属薄膜，半导体薄膜等，也可用于其他功能性薄膜的沉积。
1. 系统可实现ITO、AZO、GZO等系列透明导电膜的研究与工艺探索；
2. 可以完成单金属、合金、多层膜的溅射沉积；
3. 可以完成氧化物、氮化物、碳化物等介质膜的反应溅射沉积；
4. 可以实现SiO2、Al2O3等绝缘材料的溅射沉积；
5. 可以进行含有上述多层膜的功能膜研究开发；
1、双腔室结构（含工艺腔室及进出样室）；
2、最大溅射样品尺寸约450×250mm；
3、磁控溅射靶四支，其中两支为孪生靶，控制电源为两套直流电源和一套中频电源；
7、加热及温控系统，保证腔室能够加热至500℃；