掩膜

在半导体制造中，光刻工艺是最重要的步骤之一，光刻确定了半导体器件的关键尺寸。光刻工艺主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备，当掩膜板存在缺陷时，掩膜板的缺陷会在光刻工艺中转移到硅片上，最终可转化为对半导体器件的电特性产生影响，所以掩膜板的质量需要严格的控制。 在现有技术中，在掩膜板上制备出图形后，需要将掩膜板放到紫外光下用紫外光照射，从而使掩膜板固化

步骤1、提供掩膜基板，在掩膜基板基板上涂覆一层光刻胶； 步骤2、对所述光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶图案； 步骤3、采用电铸工艺或物理气相沉积工艺在所述金属基板上于光刻胶图案的直孔内沉积一层掩膜材料; 步骤4、去除掩膜基板和光刻胶图案，得到初始掩膜板; 所述初始掩膜板具有多个呈阵列式排布的、开口尺寸等于蒸镀所需的设计开孔尺寸的直孔通孔、及位于每相邻两个直孔通孔之间的挡墙; 步骤5、在初始掩膜板的上、下表面分别形成上光致刻蚀层图案、下光致刻蚀层图案; 所述上光致刻蚀层图案完全覆盖所述挡墙的上表面，所述下光致刻蚀层图案仅覆盖所述挡墙的下表面的中间部分; 步骤6、采用化学刻蚀工艺对初始掩膜板的下表面及直孔通孔的内壁进行刻蚀，形成具有斜锥角的曲线形凹槽; 该曲线形凹槽的开口尺寸自下而上逐渐减小至蒸镀所需的设计开孔尺寸; 步骤7、去除所述上、下光致刻蚀层图案，得到掩膜板。