掩膜
光学掩模板在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位,以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构。掩膜板应用十分广泛,在涉及光刻工艺的领域都需要使用掩膜板,如IC(Integrated Circuit,集成电路)、FPD(Flat Panel Display,平板显示器)、PCB(Printed Circuit Boards,印刷电路板)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems,微机电系统)等。 光刻掩膜板(又称光罩,英文为Mask Reticle),简称掩膜板,是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版
在半导体制造中,光刻工艺是最重要的步骤之一,光刻确定了半导体器件的关键尺寸。光刻工艺主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备,当掩膜板存在缺陷时,掩膜板的缺陷会在光刻工艺中转移到硅片上,最终可转化为对半导体器件的电特性产生影响,所以掩膜板的质量需要严格的控制。 在现有技术中,在掩膜板上制备出图形后,需要将掩膜板放到紫外光下用紫外光照射,从而使掩膜板固化
在集成电路制造领域,光刻技术被用来将图案从包含电路设计信息的光刻掩膜板上转移到晶圆上,其中的光刻掩膜板,也称为光刻版、掩膜板或者光罩,是一种对于曝光光线具有透光性的平板,其上具有对于曝光光线具有遮光性的至少一个几何图形,所述几何图形为设计图形,可实现有选择的遮挡照射到芯片表面光刻胶上的光,并最终在晶圆表面的光刻胶上形成相应的图案。 随着器件朝向小型化微型化趋势发展,为了增加光刻掩膜板上的设计图形的工艺窗口,增加对焦深度,通常光刻掩膜板上除具有定义设计图形的主图形外,还在主图形的一侧或两侧设计光学辅助线条,所述光学辅助线条为条状图形,并且,所述光学辅助线条不能在晶圆上成像。 然而,现有技术制造的光刻胶掩膜板的产品良率较低,光刻掩膜板重出的损耗较大
步骤1、提供掩膜基板,在掩膜基板基板上涂覆一层光刻胶; 步骤2、对所述光刻胶进行曝光、显影,形成光刻胶图案; 步骤3、采用电铸工艺或物理气相沉积工艺在所述金属基板上于光刻胶图案的直孔内沉积一层掩膜材料; 步骤4、去除掩膜基板和光刻胶图案,得到初始掩膜板; 所述初始掩膜板具有多个呈阵列式排布的、开口尺寸等于蒸镀所需的设计开孔尺寸的直孔通孔、及位于每相邻两个直孔通孔之间的挡墙; 步骤5、在初始掩膜板的上、下表面分别形成上光致刻蚀层图案、下光致刻蚀层图案; 所述上光致刻蚀层图案完全覆盖所述挡墙的上表面,所述下光致刻蚀层图案仅覆盖所述挡墙的下表面的中间部分; 步骤6、采用化学刻蚀工艺对初始掩膜板的下表面及直孔通孔的内壁进行刻蚀,形成具有斜锥角的曲线形凹槽; 该曲线形凹槽的开口尺寸自下而上逐渐减小至蒸镀所需的设计开孔尺寸; 步骤7、去除所述上、下光致刻蚀层图案,得到掩膜板。
光掩膜一般也称光罩,是微电子制造中光刻工艺所使用的图形母版,由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形,并通过曝光将图形转印到产品基板上。光掩膜主要由两部分组成:基板和不透光材料。作为半导体、液晶显示器制造过程中转移电路图形“底片”的高精密工具,光掩膜是半导体制程中的一环
掩膜板固化处理方法,将掩膜板进行等离子体工艺处理,以使掩膜板固化,与现有技术相比,采用等离子体处理不会使缺陷发生化学反应,使得固化后的固化掩膜板上的缺陷能够轻易去除,从而降低掩膜板的报废率,节约成本。 1.一种掩膜板固化方法,其特征在于,对掩膜板进行等离子体工艺处理,以使掩膜板固化。 2.掩膜板固化方法,其特征在于,所述等离子体工艺处理的气体包括氢气和氮气,氢气和氮气的体积比为1: 20〜1: 100