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黎明，现任北京大学信息科学技术学院“百人计划”特聘研究员，从事微纳电子器件技术研究，博士生导师。2003年至2011年间曾就职于三星电子半导体研发中心，从事先进半导体器件与工艺技术研发，先后在多桥接沟道器件（MBCFET，即现在的Nanosheet FET），围栅纳米线器件等领域取得重要成果，在2009年VLSI会议上首次发表了栅长10纳米以下的围栅纳米线器件。还在22纳米大规模集成电路技术研发中担任器件模块的负责人

集微网消息1月31日，三星电子在去年第四季度经营业绩电话会议上表示：“三星第二代3nm GAA工艺将于2024年如期量产，多数移动芯片、HPC客户都表示关注。与之前的技术FinFET工艺相比，具有性能和功耗效率，特别具有设计灵活性的优点。” 此前三星宣布第二代3nm GAA工艺将会在2024年量产