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按照某些研究结果,认为1/f噪声图8
按照某些研究结果,认为1/f噪声(图8.25中曲线的变化部分所示)的起因是在沟道和界面陷阱之间交换载流子(2.6节)而引起的载流子浓度的波动。按照其他一些研究结果,认为1/f噪声的起因是迁移率的波动。MOS晶体管低中频小信号的1/f噪声
按照某些研究结果,认为1/f噪声(图8.25中曲线的变化部分所示)的起因是在沟道和界面陷阱之间交换载流子(2.6节)而引起的载流子浓度的波动。按照其他一些研究结果,认为1/f噪声的起因是迁移率的波动。MOS晶体管低中频小信号的1/f噪声