vlsi

微电子所刘明院士科研团队在会上展示了高性能选通管的最新研究进展。 交叉阵列中的漏电流问题是电阻型存储器（如RRAM、MRAM、PCM）高密度集成的主要障碍，研制具有高疲劳特性、高均一性的通用选通管对于实现上述存储器的高密度三维交叉阵列集成具有重要意义。刘明院士团队设计了一种基于NbOx的高性能选通器件，通过对氧元素分布的调节与隧穿层的引入，实现了高开态电流密度（4.8MA/cm2）、高操作速度（10ns）、高疲劳特性(>1012)

硅烷在大规模集成电路（LSI）、超大规模集成电路（VLSI）和半导体器件制造中，用于气相外延生长、化学气相淀积等工艺（工序）。 1. 外延（生长）混合气 在半导体工业中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法，生长一层或多层的材料所用的气体叫做外延气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅、四氯化硅和硅烷等

本校师生参访“澳门大学模拟与混合信号超大规模集成电路实验室” 由教育及青年发展局组织和带领，本校高中理工组师生一行21人，于2022年11月23日，参访了澳门大学模拟与混合信号超大规模集成电路实验室(下称VLSI LAB)，并得到李家明教授热情接待和讲解分享。李教授乃本校校友，为土生土长的澳门人，专门研究微电子技术于生物研究的应用。 VLSI LAB专门研究设计芯片，芯片技术为国家当前重要的科技发展项目

并行算法、高性能计算专家。1938年6月3日生于安徽颍上。1961年毕业于西安交通大学计算机专业

Verilog硬件描述语言(HDL: Hardware Description Language)的设计理念在FPGA数位电路设计、超大型积体电路设计(VLSI)、及系统芯片(SOC)设计上均扮演着非常重要的角色，是软硬件工程师在职场上必备的工具。 本课程的特色在于由浅而深、循序渐近的探讨Verilog HDL的设计理念，并搭配精彩而简易的设计范例，实际的在FPGA硬件板上彻底的实习数位电路设计。 本课程的最大目标是使学习者能够快速的入门、快速的活用、具体的学习到Verilog HDL的设计技巧及经验，以便增强在职场上的竞争力

并行算法、高性能计算专家。1938年6月3日生于安徽颍上。1961年毕业于西安交通大学计算机专业

张良震，男，教授，安徽大学原副校长，享受国务院特殊津贴专家。 1982年美国圣塔克勒拉大学、1988年美国圣荷西州立大学访问学者，1992年教育部公派至丹麦奥尔堡大学电子系统学院通信工程系高级访问学者。曾任安徽大学副校长，安徽省科协副主席，安徽省电子学会副理事长，中国电子学会电路与系统分会副主任委员，中国计算机集成电路与集成技术学会委员，上海交通大学、杭州电子科大兼职教授；深圳奥沃集团开发研究院院长，杭州富通计算机软件有限公司总经理，企业博士后工作站负责人

淄博迪嘉特种气体有限公司专业经营化学级氯化氢、电子级氯化氢、硫化氢、二氧化硫等特种气体，其中氯化氢气体为半导体器件制造业、光伏产业和医药工业提供了充足的优质原材料。本公司现有年销售2000吨氯化氢，连续销售应用于单晶硅外延片制造的5N(99.999%)电子级(VLSI)氯化氢以及应用于医药中间体、农药及精细化学品制造的2.8N(99.8%)化学级氯化氢。高纯度电子级氯化氢气体经国内外多家半导体材料生产企业在单晶硅片气相抛光、外延基座腐蚀和硬质合金镀膜工艺中使用证明，其主要性能技术指标与国外同类产品相当

微电子与纳米技术研究所(Institute of Microelectronics and Nanotechnology)近年来投入近千万建成了微纳器件工艺平台、晶圆级纳米器件测试平台、存储芯片测试平台及高性能计算平台，形成了以国家级青年人才为核心的综合性研究团队。近年来，研究所承担了科技部重点研发项目课题、国家基金委重大项目及面上项目等多项国家级/省部级/企业合作的研究项目和课题，与国内外著名大学、研究机构及集成电路企业建立了良好的合作关系。近三年发表了五十余篇高水平SCI/EI检索论文，并在微电子集成电路国际顶级会议IEDM/VLSI Symposium上多次报告研究进展，目前主要研究方向包括：三维存储芯片及存储单元、纳米晶体管可靠性、新型电子器件制备与集成、存算一体架构设计、信息功能材料设计、柔性电子材料及器件、SiC基大功率电子器件、微信号低噪声电路设计、高速数/模IP核及OFDM的SOC实现等

微电子与纳米技术研究所(Institute of Microelectronics and Nanotechnology)近年来投入近千万建成了微纳器件工艺平台、晶圆级纳米器件测试平台、存储芯片测试平台及高性能计算平台，形成了以国家级青年人才为核心的综合性研究团队。近年来，研究所承担了科技部重点研发项目课题、国家基金委重大项目及面上项目等多项国家级/省部级/企业合作的研究项目和课题，与国内外著名大学、研究机构及集成电路企业建立了良好的合作关系。近三年发表了五十余篇高水平SCI/EI检索论文，并在微电子集成电路国际顶级会议IEDM/VLSI Symposium上多次报告研究进展，目前主要研究方向包括：三维存储芯片及存储单元、纳米晶体管可靠性、新型电子器件制备与集成、存算一体架构设计、信息功能材料设计、柔性电子材料及器件、SiC基大功率电子器件、微信号低噪声电路设计、高速数/模IP核及OFDM的SOC实现等