ferroelectric

恭喜巫勇贤教授荣获 110年“原子能科技学术合作研究计划”成果发表会 “跨域合作与风险沟通领域”优良计划。 本计划以硅晶圆上n-/p-型通道之铁电内存(Ferroelectric FET FeFET)整合高介电材质AlON界面层作为研究平台，探讨γ-ray辐射效应对其电性表现、可靠度以及读取延迟(read latency)所造成的影响。本研究最大的贡献是首次以p-FeFET铁电内存进行相关的辐射测试，研究结果发现，尽管相较n-FeFET，p-FeFET之内存视窗(memory window)较小，但其展现更为优异的耐久度(endurance)、电流开关比(ON/OFF ratio)与读取延迟，因此极具有应用于太空任务的潜力