集成度
预制泵站是有潜水泵、泵站设备、除污格栅设备、控制系统及远程监控系统组成的一体化的设备。 预制泵站是有潜水泵、泵站设备、除污格栅设备、控制系统及远程监控系统组成的一体化的设备。泵站建设周期极短,安装简便质量可靠工程施工量少占地面积少自动化程度高是传统混凝土泵站的替代品集成度高容积优化是最显著的特点
网格化空气监测站是一种集数据采集、存储、传输和管理于一体的无人值守的环境监测系统。空气质量环境监测系统采用单元网格布点管理的方式,按照“网定格、格定责、责定人”的理念,建立“横向到边、纵向到底”的区域网格化平台,应用、整合多项智慧环保技术,在全面掌握、分析污染源排放、气象因素的基础之上,采用因地制宜的灵活设点方法进行部署。实时统计各厂区、监测点的监测设备数据,并根据各监测点的环境条件及其污染情况,来分析与推测区域内整体的排放情况
30路电话光端机是将传统电话信号转换为光信号并在光纤上传输的设备。30电话光端机成对使用,一端接程控制开关通过光纤传输, 直接在另一端使用电话,通常用于延长通信距离! 30路电话光端机采用的专用数字复接芯片几乎集成了设备中的所有数字逻辑功能,从而显著提及 高 设备性能优良,工作稳定可靠,功耗低,集成度高,体积小 , 易于安装和维护。 30路电话光端机主要完成电话,4线音频(E&M)、RS多业务信号点对点通信功能,如网络,通过复用到1路光信号传输
智慧用电在线监控装置是针对 0.4kV 以下的 TT、TN 系统设计的智能电力装置,具有单、三相交流电测量、四象限电能计量、谐波分析、开关量输入、继电器输出功能,以及 RS485 通讯或 GPRS 无线通讯功能,通过对配电回路的剩余电流、导线温度等火灾危险参数实施监控和管理。 产品采用微控制器技术,集成度高,体积小巧,安装方便,集智能化,数字化,网络化于身,是建筑监控装置预防监控、系统绝缘老化预估等的理想选择。同时将原有 RS485 通讯升级为 GPRS 无线通讯方式,解决了现场布线难的问题
中新网7月10日电 商务部召开网上专题新闻发布会,介绍自贸试验区第六批改革试点经验。商务部自贸区港司司长唐文弘指出,近日,国务院印发了《关于做好自由贸易试验区第六批改革试点经验复制推广工作的通知》,推出37项经验。商务部在推进自贸试验区建设过程中,始终坚持以制度创新为核心,以可复制可推广为基本要求,6年来,累计向全国复制推广了260项制度创新成果
乡村振兴,产业兴旺是基础,是解决“三农”事业发展问题的前提。 近日,农业农村部编制印发《全国乡村产业发展规划(2020—2025年)》,这是我国首次对乡村产业发展作出全面规划。文件提出,到2025年要实现乡村产业体系健全完备,质量效益明显提升,内生动力持续增强
热泵除湿机采用制冷除湿,解决了游泳池的湿度问题,通过降低新风量和回收蒸发盘管的热量达到节能的目的,还可以通过探测建筑外墙的温度来修正室内湿度,防止外墙结露,有效地解决了常规游泳池存在的几大问题。同时,由于配合了智能控制系统,设备集成度较高,能达到更精密的控制,运行维护比较简单。但是,由于热泵除湿机的室内外机采用冷媒管连接,冷媒管长度一般为25~40m,对室内外机的选择位置有很大的局限,同时,热泵除湿室内机功能段比较多,室内机组较长,所要的机房面积也较大
随着市场需求的逐渐变化,活动板房发生了巨大的变化。在我们看来,活动板房的应用范围主要集中在建筑工地和户外用房上。活动板房不仅解决了户外工作人员的住宿问题,而且节能环保,可重复使用
STM32单片机由ST厂商推出的STM32系列单片机,行业的朋友都知道,这是一款性价比超高的系列单片机,应该没有之一,功能及其强大。其基于专为要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式 由ST厂商推出的STM32系列单片机,行业的朋友都知道,这是一款性价比超高的系列单片机,应该没有之一,功能及其强大。其基于专为要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式应用专门设计的ARM Cortex-M内核,同时具有一流的外设:1μs的双12位ADC,4兆位/秒的UART,18兆位?????????/秒的SPI等等,在功耗和集成度方面也有不俗的表现,当然和MSP430的功耗比起来是稍微逊色的一些,但这并不影响工程师们对它的热捧程度,由于其简单的结构和易用的工具再配合其强大的功能在行业中赫赫有名…其强大的功能主要表现在: 了解STM32全系类产品:沙场点兵STM32微处理器全系列成员
华虹半导体有限公司今日宣布,最新推出90纳米超低漏电(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台,满足大容量微控制器(MCU)的需求。该工艺平台作为华虹半导体0.11微米超低漏电技术的延续,以更低的功耗和成本为客户提供具有竞争力的差异化解决方案,适用于物联网、可穿戴式设备、工业及汽车电子等方面的应用。新近推出的90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台1.5V 核心N型和P型MOS晶体管漏电达到0.2pA/μm,可有效延长MCU设备的待机时间
