直拉

半导体材料学家。浙江大学教授。1964年4月出生于江苏省扬州市，籍贯江苏扬州

在“十一五”期间产量、销售额、进出口总额都有较大幅度提升，增强了我国作为基础电子生产大国的地位。 在“十一五”期间产量、销售额、进出口总额都有较大幅度提升，增强了我国作为基础电子生产大国的地位。虽然期间受金融危机冲击，产业经历小幅调整，但总体发展稳定

在“十一五”期间产量、销售额、进出口总额都有较大幅度提升，增强了我国作为基础电子生产大国的地位。 在“十一五”期间产量、销售额、进出口总额都有较大幅度提升，增强了我国作为基础电子生产大国的地位。虽然期间受金融危机冲击，产业经历小幅调整，但总体发展稳定

InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。 以 InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。.这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域有良好的应用前景.此外 InAs 单晶具有很高的电子迁移率 是一种制作 Hall 器件的理想材料

炭/陶热场产品具有低成本、抗侵蚀、长寿命等特点，主要用于材料（例如：单晶硅或多晶硅）的熔融、提纯等领域。 其中，单晶硅拉制炉用炭/陶坩埚已累计生产不同规格（20、22、24吋）产品600余件，保证了产品批次的稳定性，使用寿命比传统炭/炭坩埚提高30%左右。 炭/陶及进行碳化硅涂层处理过的石墨产品具有耐高温、质量轻、强度高等特点，可承受2000℃高温