cbram

非挥发性存储器的快闪存储器(flash memory)过去在智能手机、平板电脑等市场需求的带动下产业快速成长，但是随着快闪存储器技术逐渐濒临尺寸与性能极限，各式新存储器技术陆续浮上台面，导电桥式随机存取存储器(conductive- bridging RAM;CBRAM)就是被大众看好的接班技术之一。 据报导，过去几10年来，半导体技术的重大进展多是来自于微缩，但是随着每次的微缩，快闪存储器都会变得更不可靠，且这种以电荷储存为基础的存储器技术也会变得越来越耗电，对于正在起飞的物联网(IoT)应用来说，也许还得依靠新一代的存储器技术来满足其超低功耗之需求。 在各种新存储器技术当中，由美国亚历桑纳州立大学(Arizona State University)所开发出的导电桥式随机存取存储器也开始脱颖而出，该技术属于电阻式存储器，主要是利用记忆元件电阻之大小作为资讯储存状态判读之依据，不同的电阻代表不同的储存状态，其在存取速度及能耗表现上都优于快取存储器，被视为最有潜力成为下一世代的非挥发性存储器元件之一