stpower

面向高压和低压应用的先进电源技术，配合多种封装选项和创新型芯片键合技术，说明了意法半导体在功率晶体管领域（属于STPOWER™系列）的创新。意法半导体的广泛产品组合包括-100V~1700 V功率MOSFET、击穿电压范围为300~1700 V的IGBT、以及15~1700 V功率双极晶体管。由于改进了功率电子系统的热设计，意法半导体的碳化硅（SiC）MOSFET具有业界最高的200 °C额定结温，电压范围从650至1700 V，确保良好的稳定性