10torr

分子束外延(MBE)(Molecular beam epitaxy )是利用分子在超高真空(10-10Torr以下)的环境下，以直线行进不与其他分子碰撞的情况下前进到基板之上，形成致密的高纯度镀层。 分子束外延(MBE)(Molecular beam epitaxy )的分子源需要根据不同的材料特性以及制程需求来进行选择。 真空镀膜机分子束外延(MBE)(Molecular beam epitaxy )的成长过程，如果控制精确度，可以达到单原子层成长，因此可以轻易地控制，成出超晶格结构