1ynm

SK Hynix 已发布了最新的 DDR5 路线图，并确认今年将开始限量生产下一代 DRAM。早于 2018 年 11 月亦宣布开发了业界首个根据 JEDEC 标准的 1Ynm 16Gb DDR5 DRAM。 相较下按照 JEDEC 标准，DDR4 的速度范围为 1600 – 3200 MHz，但目前已看到各制造商已将 DDR4 的速度提升到 5000 MHz

SK 厂商是目前除了 Samsung 以外，其中一个重要的半导体及芯片开发商，以早前 SK 就公布了他们第一颗 DDR5－6400 的内存芯片，频率高达6400MHz，是现在主流DDR4的双倍频率，单颗容量为16Gb(2GB)，到底有什么特别技术可以有如此大幅度的提升？ SK 的这种DDR5-6400内存芯片，采用1ynm纳米制程制造，也就是第二代10nm级别(DRAM的纳米制程目前达到个位数的还是相当少有)，四个金属层，面积为76.22平方毫米，16Gb 的容量比上一代同样的面积内实现了两倍的容量。 因此使用新的技术下，可以有效抵消成本上升的问题，并同时制造出更细小的产品，例如8Gb 的容量就可以削减 30％ 的体积，另一方面，DDR5 工作电压仅为1.1V，相比DDR4标准1.2V，降低了约8％，不过目前尚未知道正式推出的时间。

1月31日，据外媒Pulse报道称，全球第二大存储芯片制造商韩国SK海力士将削减支出并调整产量。 观察者网此前报道，该公司此前宣布其第四季度营业利润、净利润分别暴跌95％、103%，并且全球存储芯片需求不确定性今年持续存在。 SK海力士首席财务官Cha Jin-seok在四季度财报发布后的电话会议（上周五）中表示：“与去年相比，今年，在基础设施和设备上的资本支出，不得不在相当程度上缩减