ofdm

本技术的开发源自于邓教授历年执行工研院的多件产学案综合成果，技术特色为针对宽频通讯传收器的各种射频不完美问题，包含频率独立I/Q不平衡、频率相依I/Q不平衡、直流I/Q偏移等问题，提出基频讯号处理的解决之道，设计射频不完美参数估测补偿技术与调校程序。本研究所提出之调校程序为采取I/Q接收信号之“先接收端调校，再发射端调校”程序，上述方法主要目的为调校“各公司自制之射频芯片模组”，例如工研院自制5G宽频射频芯片模组完成模组，完成该模组之射频损失补偿，并实现传输多种不同的单载波与多载波信号，其中利用到平行实数滤波器估测及调校宽频射频不完美因子，补偿算法的步骤为串接式，可以在低复杂度下，逐步达成频率独立/相依的I/Q不平衡、及直流偏移等因子的补偿。 目前本项核心技术，已经成功植入工研院M3Force SDR内部的讯号处理算法中

微电子与纳米技术研究所(Institute of Microelectronics and Nanotechnology)近年来投入近千万建成了微纳器件工艺平台、晶圆级纳米器件测试平台、存储芯片测试平台及高性能计算平台，形成了以国家级青年人才为核心的综合性研究团队。近年来，研究所承担了科技部重点研发项目课题、国家基金委重大项目及面上项目等多项国家级/省部级/企业合作的研究项目和课题，与国内外著名大学、研究机构及集成电路企业建立了良好的合作关系。近三年发表了五十余篇高水平SCI/EI检索论文，并在微电子集成电路国际顶级会议IEDM/VLSI Symposium上多次报告研究进展，目前主要研究方向包括：三维存储芯片及存储单元、纳米晶体管可靠性、新型电子器件制备与集成、存算一体架构设计、信息功能材料设计、柔性电子材料及器件、SiC基大功率电子器件、微信号低噪声电路设计、高速数/模IP核及OFDM的SOC实现等

微电子与纳米技术研究所(Institute of Microelectronics and Nanotechnology)近年来投入近千万建成了微纳器件工艺平台、晶圆级纳米器件测试平台、存储芯片测试平台及高性能计算平台，形成了以国家级青年人才为核心的综合性研究团队。近年来，研究所承担了科技部重点研发项目课题、国家基金委重大项目及面上项目等多项国家级/省部级/企业合作的研究项目和课题，与国内外著名大学、研究机构及集成电路企业建立了良好的合作关系。近三年发表了五十余篇高水平SCI/EI检索论文，并在微电子集成电路国际顶级会议IEDM/VLSI Symposium上多次报告研究进展，目前主要研究方向包括：三维存储芯片及存储单元、纳米晶体管可靠性、新型电子器件制备与集成、存算一体架构设计、信息功能材料设计、柔性电子材料及器件、SiC基大功率电子器件、微信号低噪声电路设计、高速数/模IP核及OFDM的SOC实现等