si60ge40

Other Abstract 本文通过磁控溅射法制备了一种独特的Si Ge/B五层结构薄膜材料每层结构包含60 nm的Si60Ge40层和0.55 nm的B层。实验考察了薄膜材料的热电性能结果表明：B掺杂的溅射时间**为30 s;当退火温度为650℃时薄膜的致密性最好且在此温度下具有较高的Seebeck系数最大值为6.75×10^-4 V/K电阻率最小值为1.6×10^-5Ω·m其功率因子最大值为0.026 W/（m·K^2）。 Affiliation 1.中国科学院广州能源研究所中国科学院可再生能源重点实验室广州 510640