19825110

利用简化模型估算了电荷分离场及由超热电子逃逸在等离子体表面产生的自生磁场的大小和空间分布.受电荷分离场的影响以及超热电子逃逸数的限制，超热电子产生的环形磁场主要分布于等离子体表面附近的焦斑半径内，仅当超热电子束流很强时(在1μm半径截面内达到103A量级)，环形磁场才可以达到102T量级.一般情况下，由超热电子产生的磁场极小. 基金项目: 国家自然科学基金(批准号：19825110)和国家高科技惯性约束聚变基金资助的课题. 1. 中国科学院物理研究所光物理开放研究实验室，北京 100080 摘要: 利用简化模型估算了电荷分离场及由超热电子逃逸在等离子体表面产生的自生磁场的大小和空间分布.受电荷分离场的影响以及超热电子逃逸数的限制，超热电子产生的环形磁场主要分布于等离子体表面附近的焦斑半径内，仅当超热电子束流很强时(在1μm半径截面内达到103A量级)，环形磁场才可以达到102T量级.一般情况下，由超热电子产生的磁场极小.