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近日，湖南三安半导体项目一期ⅰ标段溅度厂房实现主体结构封顶
近日，湖南三安半导体项目（一期）Ⅰ标段溅度厂房实现主体结构封顶。这是该项目继M3器件封装厂房、M4碳化硅长晶厂房顺利完成主体结构封顶之后，项目建设迎来的又一个重要时刻。 据介绍，溅镀厂房位于该项目的东南角，占地面积5500平方米，总建筑面积约6000平方米，该厂房主要作用是通过溅镀技术对芯片的各个表面进行溅镀薄膜以保护芯片
近日，湖南三安半导体项目（一期）Ⅰ标段溅度厂房实现主体结构封顶。这是该项目继M3器件封装厂房、M4碳化硅长晶厂房顺利完成主体结构封顶之后，项目建设迎来的又一个重要时刻。 据介绍，溅镀厂房位于该项目的东南角，占地面积5500平方米，总建筑面积约6000平方米，该厂房主要作用是通过溅镀技术对芯片的各个表面进行溅镀薄膜以保护芯片