饱和电流

施加到MOSFET衬底上的电压对于器件的漏源I-V特性影响很大。从这点意义上来，衬底可以当作控制漏-源电导的第二个栅极。但是，衬底偏压对于I-V曲线的影响程度随着偏压及其衬底电阻率的数值不同而不同

肖特基是金属和半导体结束形成的势垒二极管，用多数载流子导电，其反相饱和电流较以少数载流子导电的快恢复二极管的PN结大得多，而且其中少数载流子的存储效应非常小，反向恢复时间较快恢复当然小很多了。 二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间，大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR，这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分，分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管，反向恢复时间随着速度的提高而降低

就这个话题做了一个简单的解释：贴片电感电流肯定不是越大越好。无论是贴片电感、色环电感，还是共模电感，它们使用的电流一定不是越大越好。同样反向说明，电感电流也绝对不是越小越好！ 电感作为电子产品的重要电子元件，主要作用用于储能、滤波和振荡等

根据电感，工字电感的第一个特征是电感。电感应满足要求，公差越小越好。换句话说，在给定的频率水平下，电感越接近中心值，电阻的外观就越好

工字电感是属于插件电感的一种，由于自动化生产的便利，插件安装具有很高的市场份额，它属于比较传统的电感器。那么，在选型时需要注意工字电感的哪些参数呢？ 1、看电感量。工字电感的第一个特点是电感量，电感量的大小应满足要求，公差越小越好

肖特基与快恢复二极管哪一个恢复时间更短? 肖特基是金属和半导体结束形成的势垒二极管，用多数载流子导电，其反相饱和电流较以少数载流子导电的快恢复二极管的PN结大得多，而且其中少数载流子的存储效应非常小，反向恢复时间较快恢复当然小很多了。 二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间，大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR，这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分，分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管，反向恢复时间随着速度的提高而降低

封胶电感、磁胶电感、贴片功率电感，贴片电感、高功率、高饱和电流、体积小、直流电阻低，寿命长，成本低，适用于表面贴装。 贴片电感，是闭合回路的一种属性。当贴片电感的线圈通过电流后，贴片电感在线圈中形成磁场感应，感应磁场又会产生感应电流来**通过线圈中的电流

施耐德继电器在市场上面有着多种类型，对应的类型都有其不同的功能和特点。其中，要想选择合适的产品，就需要掌握正确的选择方法。可以从工作环境、启动电流、负载性质、工作系统、允许过载能力等方面来进行分析和选择

早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面

Abstract 为了澄清限制所制备的颗粒硅带上的晶体硅薄膜太阳电池效率的主要因素 对制备在颗粒硅带、经区熔(ZMR)后的颗粒硅带和单晶硅衬底上的外延晶体硅薄膜太阳电池进行了QE和Suns-Voc研究. 结果表明 颗粒硅带上沉积的外延层的表面有一定的粗糙度 它不但增加了电池表面的漫反射 也使氮化硅减反射膜的结构变得疏松 最终影响了减反射膜的陷光效果; 沉积在颗粒硅带上的硅活性层的晶体质量也较差 较重的晶界复合限制了少子扩散长度 使得制备在颗粒硅带上的硅薄膜太阳电池在长波方向上的光谱响应明显变坏. 所制备的晶体硅薄膜太阳电池的暗特性参数值均不理想 电池性能尤其受到过高的暗饱和电流I02值和过低的并联电阻Rsh值的严重影响. 高的I02值是由于结区硅活性层较差的晶体质量所导致的严重的晶界复合造成的 低的Rsh值被归结为电池经激光切割后未经钝化的**的PN结及电池边缘的漏电造成的. MLA 艾斌et al."外延晶体硅薄膜太阳电池的量子效率和特性研究".中国科学e辑技术科学 34.0(2004):11.