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时 间：2020年6月3日10:00-11：00 讲座摘要：神经形态计算（类脑计算）由于具有低能耗、自适应学习、高并行计算等优点，已经成为了高性能计算发展的一个重要方向。神经形态计算需要构建人工神经网络。作为人工神经网络的核心器件，神经突触器件近年来受到了越来越多的关注

针对未来的高容量/记忆单元密度所需的微缩尺寸磁性内存单元进行研究。并发展相关所需的制程技术及改善磁性内存的磁性薄膜材料与结构。 ‧ 自旋磁性内存，磁阻变化率(MR Ratio)≧40%；等效阻值(RA)≦20 Ω-μm^2；MTJ元件短边≦0.1μm； 临界写入电流密度(Jco)≦3E6A/cm^2 工研院电光所自2000年深次微米计划完成阶段性任务后，即积极寻找具市场潜力之前瞻技术题目，于2002年选择新世代非挥发性记亿体投入前瞻研究，MRAM为其中一个题目，因MRAM技术符合我国业界需求，于2003年启动关键计划，同时也与业界开始MRAM合作计划，在计划期间陆续产出多项突破创新之技术，并获国际肯定，获刊于电子领域最著名之期刊 ( 2篇IEDM，3篇ITC )，并于2006年启动第二代MRAM (Spin-RAM ) 之构想可性前瞻技术，仅花费一年的期间利用元件结构设计将写入电流密度从20 MA/cm2降至2 MA/cm2，降幅达10倍，逼近国际水准(国际领先指标为1MA/cm2)

近年来，越来越多的“90后”学者走上了学术舞台。 澎湃新闻记者8月8日查询发现，湖南大学官网近日更新教师信息显示，出生于1994年的工学博士李晟曼已经出任湖南大学材料科学与工程学院副教授。 李晟曼的官方简历显示，她2015年毕业于华中科技大学光学与电子信息学院获工学学士学位，同年直博，继续就读于华中科技大学光学与电子信息学院，师从吴燕庆教授，2020年6月毕业被授予工学博士学位

微电子所刘明院士科研团队在会上展示了高性能选通管的最新研究进展。 交叉阵列中的漏电流问题是电阻型存储器（如RRAM、MRAM、PCM）高密度集成的主要障碍，研制具有高疲劳特性、高均一性的通用选通管对于实现上述存储器的高密度三维交叉阵列集成具有重要意义。刘明院士团队设计了一种基于NbOx的高性能选通器件，通过对氧元素分布的调节与隧穿层的引入，实现了高开态电流密度（4.8MA/cm2）、高操作速度（10ns）、高疲劳特性(>1012)

个人简介：贺明，北京大学微纳电子学系研究员、博士生导师、“博雅”青年学者。2011年于复旦大学获得理学博士学位，2011-2013年在复旦大学从事博士后工作，2013年9月赴美国佐治亚理工学院从事博士后工作，2017年7月受聘成为佐治亚理工学院Research Scientist，2018年6月进入北京大学工作至今，主要从事新原理信息材料与器件、多感知融合新原理器件、有机半导体超低功耗器件等方向的研究，迄今已在IEEE-IEDM、Nature Communications、IEEE-EDL、Angewandte Chemie International Edition、Energy & Environmental Science等学术期刊和会议发表论文30余篇，其中9篇被选作封面/封底文章，总引用3300余次，h因子24，担任John Wiley & Sons旗下期刊《Energy & Environmental Materials》副主编。

微电子与纳米技术研究所(Institute of Microelectronics and Nanotechnology)近年来投入近千万建成了微纳器件工艺平台、晶圆级纳米器件测试平台、存储芯片测试平台及高性能计算平台，形成了以国家级青年人才为核心的综合性研究团队。近年来，研究所承担了科技部重点研发项目课题、国家基金委重大项目及面上项目等多项国家级/省部级/企业合作的研究项目和课题，与国内外著名大学、研究机构及集成电路企业建立了良好的合作关系。近三年发表了五十余篇高水平SCI/EI检索论文，并在微电子集成电路国际顶级会议IEDM/VLSI Symposium上多次报告研究进展，目前主要研究方向包括：三维存储芯片及存储单元、纳米晶体管可靠性、新型电子器件制备与集成、存算一体架构设计、信息功能材料设计、柔性电子材料及器件、SiC基大功率电子器件、微信号低噪声电路设计、高速数/模IP核及OFDM的SOC实现等

微电子与纳米技术研究所(Institute of Microelectronics and Nanotechnology)近年来投入近千万建成了微纳器件工艺平台、晶圆级纳米器件测试平台、存储芯片测试平台及高性能计算平台，形成了以国家级青年人才为核心的综合性研究团队。近年来，研究所承担了科技部重点研发项目课题、国家基金委重大项目及面上项目等多项国家级/省部级/企业合作的研究项目和课题，与国内外著名大学、研究机构及集成电路企业建立了良好的合作关系。近三年发表了五十余篇高水平SCI/EI检索论文，并在微电子集成电路国际顶级会议IEDM/VLSI Symposium上多次报告研究进展，目前主要研究方向包括：三维存储芯片及存储单元、纳米晶体管可靠性、新型电子器件制备与集成、存算一体架构设计、信息功能材料设计、柔性电子材料及器件、SiC基大功率电子器件、微信号低噪声电路设计、高速数/模IP核及OFDM的SOC实现等