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微电子所刘明院士科研团队在会上展示了高性能选通管的最新研究进展。 交叉阵列中的漏电流问题是电阻型存储器（如RRAM、MRAM、PCM）高密度集成的主要障碍，研制具有高疲劳特性、高均一性的通用选通管对于实现上述存储器的高密度三维交叉阵列集成具有重要意义。刘明院士团队设计了一种基于NbOx的高性能选通器件，通过对氧元素分布的调节与隧穿层的引入，实现了高开态电流密度（4.8MA/cm2）、高操作速度（10ns）、高疲劳特性(>1012)

个人简介：贺明，北京大学微纳电子学系研究员、博士生导师、“博雅”青年学者。2011年于复旦大学获得理学博士学位，2011-2013年在复旦大学从事博士后工作，2013年9月赴美国佐治亚理工学院从事博士后工作，2017年7月受聘成为佐治亚理工学院Research Scientist，2018年6月进入北京大学工作至今，主要从事新原理信息材料与器件、多感知融合新原理器件、有机半导体超低功耗器件等方向的研究，迄今已在IEEE-IEDM、Nature Communications、IEEE-EDL、Angewandte Chemie International Edition、Energy & Environmental Science等学术期刊和会议发表论文30余篇，其中9篇被选作封面/封底文章，总引用3300余次，h因子24，担任John Wiley & Sons旗下期刊《Energy & Environmental Materials》副主编。

微电子与纳米技术研究所(Institute of Microelectronics and Nanotechnology)近年来投入近千万建成了微纳器件工艺平台、晶圆级纳米器件测试平台、存储芯片测试平台及高性能计算平台，形成了以国家级青年人才为核心的综合性研究团队。近年来，研究所承担了科技部重点研发项目课题、国家基金委重大项目及面上项目等多项国家级/省部级/企业合作的研究项目和课题，与国内外著名大学、研究机构及集成电路企业建立了良好的合作关系。近三年发表了五十余篇高水平SCI/EI检索论文，并在微电子集成电路国际顶级会议IEDM/VLSI Symposium上多次报告研究进展，目前主要研究方向包括：三维存储芯片及存储单元、纳米晶体管可靠性、新型电子器件制备与集成、存算一体架构设计、信息功能材料设计、柔性电子材料及器件、SiC基大功率电子器件、微信号低噪声电路设计、高速数/模IP核及OFDM的SOC实现等

微电子与纳米技术研究所(Institute of Microelectronics and Nanotechnology)近年来投入近千万建成了微纳器件工艺平台、晶圆级纳米器件测试平台、存储芯片测试平台及高性能计算平台，形成了以国家级青年人才为核心的综合性研究团队。近年来，研究所承担了科技部重点研发项目课题、国家基金委重大项目及面上项目等多项国家级/省部级/企业合作的研究项目和课题，与国内外著名大学、研究机构及集成电路企业建立了良好的合作关系。近三年发表了五十余篇高水平SCI/EI检索论文，并在微电子集成电路国际顶级会议IEDM/VLSI Symposium上多次报告研究进展，目前主要研究方向包括：三维存储芯片及存储单元、纳米晶体管可靠性、新型电子器件制备与集成、存算一体架构设计、信息功能材料设计、柔性电子材料及器件、SiC基大功率电子器件、微信号低噪声电路设计、高速数/模IP核及OFDM的SOC实现等