半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制，使其具备数据存储功能的半导体电路装置。
DRAM的存储单元由1个晶体管和1个电容器构成。
元器件原理＜SRAM＞
SRAM的存储单元低功耗版由6个晶体管单元构成，高密度版由4个晶体管单元组成。
元器件原理＜Mask ROM＞
由于集成度高，Mask ROM的存储单元由NAND构成（1个晶体管单元）。
元器件原理＜EEPROM＞
EEPROM的存储单元由2个晶体管单元构成，其中包括1个存储晶体管和1个选择晶体管。
元器件原理＜FLASH＞
当FLASH存储器的最小单位为“F”时，每1位（bit）的面积NAND型为4F2、NOR型为10F2。
串行EEPROM有三种常用接口：Microwire、SPI和I2C。
利用图示对串行EEPROM的三种常用接口的指令进行了比较。
使用多个EEPROM时的构成示例＜I2C＞
在串行EEPROM的三种常用接口中，通过图示举例说明使用多个I2C时的配置示例。
使用多个EEPROM时的构成示例＜SPI＞
在串行EEPROM的三种常用接口中，通过图示举例说明使用多个SPI时的配置示例。
使用多个EEPROM时的构成示例＜Microwire＞
在串行EEPROM的三种常用接口中，通过图示举例说明使用多个Microwire时的配置示例。