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讲座摘要：脉冲中子源在核物理、材料科学、无损检测技术方面具有广泛的应用，传统的中子源通常需要用核反应堆或庞大的高能加速器，从而限制了中子源的应用。随着激光技术的发展，基于超短超强激光的脉冲中子源有可能成为一种新型的台面中子源。这种中子源具有短脉冲、小焦点等特点，具有广泛的潜在应用，让而目前的激光中子源在中子产额方面还面临技术挑战。本文将先容中国工程物理研究院激光聚变研究中心在发展激光中子源方面的研究进展。主要先容利用激光尾场电子加速技术的光核中子源和利用激光质子加速的（pn）和（Dn）反应的中子源研究目前进展和面临的挑战。
主讲人概况：谷渝秋，中国工程物理研究院研究员，博士导师，主要从事激光聚变物理与诊断技术、高能量密度物理研究，中国工程物理研究院激光聚变研究中心副总工程师，中国工程物理研究院“双百人才”，享受国家政府特殊津贴，四川省有突出贡献专家，国家某重大专项专家组成员，曾任国家863高技术某专题物理组副组长、等离子体重点实验室副主任等职，上海交大IFSA协同创新成员，北京大学、四川大学、深圳技术大学兼职教授，中国物理学会高能量密度物理专业委员会委员，四川省物理学会常务理事，主要从事激光聚变物理、激光粒子加速、强场等离子体物理研究，曾获国家科技进步一等奖1项，军队级科技进步奖一等奖1项、军队科技进步二等奖3项、军队科技进步三等奖4项，在PRL、APL、POP、OE等专业杂志公开发表文章200余篇。