衬底
施加到mosfet衬底上的电压对于器件的漏源i-v特性影响很
施加到MOSFET衬底上的电压对于器件的漏源I-V特性影响很大。从这点意义上来,衬底可以当作控制漏-源电导的第二个栅极。但是,衬底偏压对于I-V曲线的影响程度随着偏压及其衬底电阻率的数值不同而不同
施加到MOSFET衬底上的电压对于器件的漏源I-V特性影响很大。从这点意义上来,衬底可以当作控制漏-源电导的第二个栅极。但是,衬底偏压对于I-V曲线的影响程度随着偏压及其衬底电阻率的数值不同而不同