从磁参数（饱和磁化强度，磁晶各向异性场）温度稳定性出发，对六角铁氧体RAM的温度稳定性进行了讨论；通过对M、W型六角铁氧体在温度t=18～100℃，频率。f=8～12GHz时吸收率R（R～f）的温度稳定性和材料起始磁导率“随温度的变化曲线（μ～t）的测试，得到单轴六角铁氧体材料R～f的温度稳定性优于平面六角铁氧体材料，并且和材料的μ～t变化规律吻合较好的结果。

应用磁荷面密度及磁化强度的有关理论， 建立二者混合的σ*-M积分方程模型，使用三次样条插值技术对非线性方程进行迭代求解。利用该法对TEAM PROBLEM 13进行了计算验证，磁场的计算值和测试值吻合较好，证明了该方法的有效性。