Glass AMOLED之所以成功商品化，其中一项重要关键技术在于解决Top Emission AMOLED封装技术门槛。玻璃是一种具有高阻隔水、氧气之基材， OLED发光层被封装在两片玻璃基板中间，在原本OLED面板技术开发上，一般采用环氧树脂胶材进行封装，但环氧树脂胶材仍无法抵挡水、氧气穿透，因此Top Emission AMOLED一直碍于封装问题而无法商品化，直到韩国Samsung成功开发玻璃胶(Frit)封装后，才顺利解决Top EmissionAMOLED面板封装问题，如图一所示。
在软性AMOLED开发上，韩国面板厂以Samsung Display与LG Display为主，Samsung 自2009年开始产出2.8吋与6.5吋软性AMOLED雏型品，2010年到2013年雏型品以4.5吋软性AMOLED为主，如图四所示。LG自2007年就已经开始产出4吋软性AMOLED雏型品，但是在2010年到2012年间并没有雏型品产出，直到2013年才产出5吋软性AMOLED雏型品，如图五所示。
目前日本在Glass AMOLED技术开发与量产上落后韩国，但是在软性AMOLED面板技术开发也是不遗余力，如图六所示。自2007年开始SONY就有2.5吋软性AMOLED雏型品产出，2010年展示4.1吋可卷曲软性AMOLED面板，卷曲半径4mm，卷曲次数10万次以上，2012年展出9.9吋软性AMOLED。NHK从2008年开始也陆续开发出软性AMOLED雏型品，但是其中TFT是采用有机(Organic)TFT，要将软性AMOLED量产并商品化，在短期间是比较不易实现的。
台湾最早的软性AMOLED面板技术是由工研院所开发，自2008年开始产出4.1吋软性AMOLED雏型品，比日本、韩国大厂还早采用Polyimide软性基板制作出软性AMOLED雏型品。友达光电技转工研院技术，于2011年展出4.1吋软性AMOLED雏型品，并于2013年再次展出4.3吋软性AMOLED雏型品，如图八所示。
在TFT制程中依照不同TFT种类，如非晶硅(a-Si)、金属氧化物(Metal Oxide)、低温多晶硅(LTPS)，对于制程温度要求有所不同。目前在Glass AMOLED商品化TFT技术LTP S 而言，激光打在非晶硅上之温度超过1000˚C以上，而在去氢(De-hydrogenation)与活化(Activation)制程而言，400˚C以上是目前达到一定电子迁移率所需的温度。若是以金属氧化物TFT而言，主动层金属氧化物如IGZO，退火温度需300˚C以上才可达到一定电子迁移率，因此玻璃上软性基板如塑胶(Plastic)材料之玻璃转换温度(Tg)即是材料选择重要考量。此外，在进行TFT制程与OLED制程中之对位精准度与软性基板材料受热所产生之热膨胀系数也是息息相关，如图十所示。