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本次版本更新修复了大量 BUG 并优化了现有功能。 IT之家了解到,KDE Plasma 5.26.5 更新主要修复了 Plasma Wayland 会话中的诸多 BUG,包括笔记本连接到扩展坞时 KWin 崩溃、使用某些 ARM 驱动的设备时外部显示器无法工作、以及禁用中间点击粘贴时在 GTK 应用程序中无法选择文本的问题。 另外,本次更新还改进了系统设置中区域和语言页面上的语言列表滚动
KDE项目今天宣布了即将发布的KDE Plasma 5.18 LTS桌面环境beta版的普遍可用性,该桌面环境适用于基于Linux的操作系统和基于Linux的设备。 KDE Plasma 5.18是流行的Linux桌面环境的主要版本,因为它是第三个LTS(长期支持)系列,距第一个LTS分支三年半之后,距第二个LTS分支两年了。这意味着在接下来的两年中,将通过维护更新来支持KDE Plasma 5.18 LTS
9¾ Bookstore and Café是Plasma Nodo创建的,这是一个好玩的地方,人们可以来这儿阅读,而且也可以体会这里的设计激情和对咖啡的热爱。它位于哥伦比亚麦德林,显然这不仅是一个现代书屋和咖啡馆,同时也是一个促进社交的地方。这个书屋将近1300平方英尺,有2层,每走一步,你都可以看到不同的景象
Abstract 巯基修饰的可以与Hg~(2+)特异性结合的DNA序列(poly-T)被共价连接在纳米金颗粒表面构成纳米捕获探针。当检测到Hg2+时不同纳米金颗粒表面的DNA发生Hg~(2+)介导的配对形成准双链结构纳米金颗粒之间的距离被拉近导致纳米金颗粒的团聚颜色由红色变成蓝紫色。检测前Hg~(2+)浓度用电感耦合等离子质谱仪(Inductively coupled plasma mass spectrometryICP-MS)进行标定以排除汞盐潮解引起的浓度误差对检测灵敏度的影响
等离子废气处理优势目前非常多,利用等离子Plasma(uland离子氧)降解有机废气和、祛除恶臭、杀灭细菌、病毒、净化空气是国际上比较尖端的高新技术,国内外专家称之为21世纪环境科学四大技术之一。该技术的关键是通过高压脉冲介质阻挡放电的形式产生大量活性离子氧(离子氧),将气体激活,产生各种活性自由基,如•OH、•HO2、•O等,对苯、甲苯、二甲苯、氨气、烷烃类等有机废气发生降解、氧化等复杂的物理和化学反应,且副产物无毒,避免二次污染。该技术具有能耗极低,占地空间小,运行维护简单等特点,特别是适用于多种组分有机气体的处理
自 20 世纪 90 年代初以来,Linux 桌面已从一个简单的窗口管理器发展为一个完整的桌面。让我们一起来回顾一下 Linux 桌面的历史。 你能够轻松地配置 Plasma 桌面并且使用它大量方便且节省时间的特性来加速你的工作,拥有一个能够帮助你而非阻碍你的桌面环境
等离子表面处理机看新闻了解到 表面技术是一门广博精深和具有极高实用价值的基础技术,也是一门新兴的边缘性学科。表面技术起源于古代,然而只是在进入本世纪以来,随着人们对自然现象的广泛研究以及工业和科学技术的迅速发展,才对传统表面技术进行一系列的改进、复合和创新,涌现出大量的现代表面技术。等离子表面处理机看新闻了解到目前各种类型的表面技术,从电镀、刷镀、化学镀、氧化、磷化、涂装、粘结、堆焊、熔结、热喷涂、电火花涂敷、热浸镀、搪瓷涂敷、陶瓷涂敷、塑料涂敷、喷丸强化、表面热处理、化学热处理,到60 年代以后发展起来的等离子体表面处理、激光表面处理、电子束表面处理、高密度太阳能表面处理、离子注入、物理气相沉积(真空蒸镀、溅射镀膜、离子镀)、化学气相沉积(等离子体化学气相沉积、激光化学气相沉积、金属有机物化学气相沉积)、分子束外延、离子束合成薄膜技术,以及由多种表面技术复合而成的新一代表面处理技术和各种表面加工技术如金属的清洗、精整、电铸、包覆、抛光、蚀刻,还有各种表面微细加工技术等,都已在冶金、机械、电子、建筑、宇航、造船、兵器、能源、轻工和仪表等各个部门乃至农业和人们日常生活中有着极其广泛的应用,而且起着越来越重要的作用
320nm 10mW氦镉气体激光器 He-Cd Lasers 简要描述:320nm 10mW氦镉气体激光器 He-Cd Lasers 有如下特点:相干性强、光学质量好、能量密度高、发散角小、光学参数稳定。该激光器包括激光器机头和电源,光学支架上固定有一个放电管,并由布鲁斯特窗户密封,是激光机头设计的基础。广泛用于:生物物理、生物化学、生物医疗、光固化、全息衍射元件制造
中国科学技术大学核科学技术学院特任研究员,中科院人才计划青年项目入选者,博士生导师。长期致力于惯性约束聚变中激光等离子体不稳定性(LPI)的研究,主要包括对于LPI基础理论的挖掘和深化,并运用超大规模数值模拟研究非线性LPI物理。以往的研究还涉及超短超强激光和靶的相互作用以及托卡马克破裂相关的基础等离子体过程
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