美商mosys公司采用台积标准逻辑制程成功量产1t-sram

美商MoSys公司采用台积标准逻辑制程成功量产1T-SRAM?

台湾积体电路制造股份有限公司今(11)日宣布，该公司运用其高效能、高良率的0.25微米逻辑制程技术，为美商MoSys公司成功地制造出二百万位元的单一晶体管静态随机存取内存(1T-SRAM? Core)。MoSys以单一晶体管为基础的随机存取内存，不仅能提供台积客户高速及高密度的内存功能，并且在制程上能与现有的逻辑制程设计组块所包含的逻辑元件库，及传统六个晶体管静态随机存取内存相配合。

台积公司资深行销处长Roger Fisher表示，该公司很高兴成为全球第一家以标准逻辑制程为MoSys公司验证1T-SRAM? Core技术的晶圆厂，利用此一高密度内存设计组块，客户能将深具经济效益的系统单芯片与数百万位元的高速随机存取内存成功地整合在一起。

MoSys公司表示，1T-SRAM? 技术的问世，不但能创造优于传统静态随机存取内存三倍的性能表现，同时在降低功率耗损的成绩也十分显著。这项专为系统单芯片所设计的内存，可以运用在高效能的精简指令集处理器(RISC)、数字信号处理器(DSP)及混合讯号(mixed-singal)界面，产生**的效果。

MoSys的1T-SRAM? 技术运用单一晶体管晶胞(transistor cell)达到高集积度的目的，同时维持SRAM免资料更新(refresh)及低随机存取周期的优势。1T-SRAM? 可以成为传统静态随机存取内存与嵌入式动态随机存取内存(embedded DRAM)的替代方案。MoSys公司表示，1T-SRAM?可以使用逻辑制程或嵌入式DRAM制程从事制造。目前1T-SRAM? 已经开放给外界授权使用。