一种氢气感测器及其制造方法

一种氢气感测器及其制造方法。此氢气感测器的制造方法包含如下步骤：形成半导体缓冲层于基底上；形成半导体主动层于半导体缓冲层上；对半导体主动层的表面进行电浆处理；以及形成第一金属层和第二金属层于半导体主动层，其中第一金属层和第二金属层之间具有一距离。

abstract = "一种氢气感测器及其制造方法。此氢气感测器的制造方法包含如下步骤：形成半导体缓冲层于基底上；形成半导体主动层于半导体缓冲层上；对半导体主动层的表面进行电浆处理；以及形成第一金属层和第二金属层于半导体主动层，其中第一金属层和第二金属层之间具有一距离。"

N2 - 一种氢气感测器及其制造方法。此氢气感测器的制造方法包含如下步骤：形成半导体缓冲层于基底上；形成半导体主动层于半导体缓冲层上；对半导体主动层的表面进行电浆处理；以及形成第一金属层和第二金属层于半导体主动层，其中第一金属层和第二金属层之间具有一距离。

AB - 一种氢气感测器及其制造方法。此氢气感测器的制造方法包含如下步骤：形成半导体缓冲层于基底上；形成半导体主动层于半导体缓冲层上；对半导体主动层的表面进行电浆处理；以及形成第一金属层和第二金属层于半导体主动层，其中第一金属层和第二金属层之间具有一距离。