开发可适用于堆叠式交互阵列架构的 RRAM元件(X-point RRAM 1S1R device) ，以应用在高密度储存式内存领域。

本提案之标的是电阻式内存技术，电阻式内存具备操作电压低、快速启动与读取、结构简单化、可多位元记忆、耐久性佳、记忆元件面积缩小及非破坏性读取等优势，是目前唯一能与具备低成本竞争力的闪存(Flash)对抗的非挥发性内存。因此，虽然电阻式内存离商品化还有一段距离，但是三星、松下、…等国际大厂已积极进行研发，纷纷推出雏形产品，由此可见电阻式内存技术商品化之后，将深具市场潜力及竞争性。