六方氮化硼（h-BN）具有高击穿强度（800 kV/mm），是提升铁电聚合物能量密度的理想材料。通常，我们认为只有氮化硼纳米片（BNNSs）才能显著提升复合物的击穿强度。然而，BNNSs的制备过程耗时并且产率极低，这大大限制了h-BN在介电储能领域的应用。为了克服这一难点，在本研究中，我们将球磨后的h-BN（B-BN）不经离心直接用于提升聚偏氟乙烯中（PVDF）的击穿强度。当填料含量为8 wt%时，复合物的击穿强度会随着B-BN球磨的时间的增加而升高。当B-BN的球磨时间为16 h时（B16-BN），PVDF/B16-BN复合物的击穿强度最高，为507 kV/mm，是纯PVDF（272 kV/mm）的2.86倍，PVDF/h-BN复合物（381 kV/mm）的1.33倍。在相同填料含量下，PVDF/B16-BN复合物的击穿强度与边缘羟基化的BNNSs（EOH-BNNSs）填充的纳米复合物的击穿强度相近，这表明对球磨后的产物离心取上层清液得到EOH-BNNSs可能并不是提升复合物击穿强度的必要步骤。此外，PVDF/B16-BN复合物的介电损耗、能量密度、力学性能以及面内热导率与PVDF/h-BN复合物相比也都有所改善。PVDF/B16-BN复合物这些改善的性能表明B16-BN的应用可以回避BNNSs产率低和制备过程耗时的缺点，同时还能扩展其在介电储能领域的应用。而这些性能的改善都归功于EOH-BN在聚合物中良好的分散，以及EOH-BN与EOH-BNNSs之间的协同效应。
